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2N7002T N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-523
● Niedrige Eingangskapazität
● Schnelle Schaltgeschwindigkeit
● Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Produkteinführung
Der 2N7002T ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-523-Gehäuse. Mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einem Dauerstrom von 0.115 A ermöglicht dieses Bauteil eine effiziente Leistungswandlung in einem kompakten SMD-Gehäuse. Sein maximaler Durchlasswiderstand beträgt weniger als 3 Ω bei V<sub>GS</sub> = 10 V, und er erreicht eine ESD-Festigkeit von H<sub>BM</sub> ≥ 2000 V für verbesserte antistatische Eigenschaften.
Produkt-Eigenschaften
- N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, geeignet für kompakte SMD-Schaltanwendungen - Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V, unterstützt stabilen Betrieb für Mittelspannungsschaltkreise - Dauerstrom (Id): 0.115 A, ideal für Kleinsignal-Schaltanwendungen - Durchlasswiderstand (RDS(on) @ Vgs): < 3 Ω @ 10 V. Der niedrige Durchlasswiderstand reduziert die Leitungsverluste - ESD-Festigkeit: HBM ≥ 2000 V, bietet guten Schutz vor elektrostatischer Entladung - Gehäuse: SOT-523, ermöglicht hochdichte Leiterplattenentwicklung und -bestückung
Anwendungen
Der 2N7002T findet breite Anwendung in Kleinsignal-Schaltanwendungen. Dank seines kompakten SOT-523-Gehäuses und seiner ESD-Schutzfunktion ermöglicht er zuverlässiges Schalten von Signalen in Schaltungen mit begrenztem Platzangebot.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
2N7002 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002E N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002K N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 0.3A RDSON(Ω)： 2Ω@10V,0.3A VTH： 1.5V@250uA P/N： N-channel
2N7002KDW N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-363
Marke: slkor， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N-channel
2N7002KT N-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-523
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 1A RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-channel
2N7002KW N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-323
Marke: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 1.1Ω@4.5V,200mA VTH： 1V@1mA P/N： N-Channel
AOD409 P-Kanal-Leistungs-MOSFET TO-252
Marke: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 30mΩ@-10V,-20A VTH： -1.8V@-250uA P/N： P-channel
BSS123 N-Kanal-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 150mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,120mA VTH： 2.8V@1mA P/N： N-Channel
BSS131 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 240V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 9.07Ω@4.5V,0.09A VTH： 1.4V@56μA P/N： N-channel
BSS138 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 220mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,220mA VTH： 1.6V@1mA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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