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2N7002T N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-523

● Niedrige Eingangskapazität

● Schnelle Schaltgeschwindigkeit

● Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage

Produktübersicht
● VDS    60V
Ich binD     300 mA
● R.DS (EIN)( ein FernseherGS=10V) <2.5 Ohm
● R.DS (EIN)( ein FernseherGS=4.5V) <3.0 Ohm

Allgemeine Beschreibung
● Trench Power MV MOSFET-Technologie
● Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter
● Niedrige Eingangskapazität
● Schnelle Schaltgeschwindigkeit
● Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage

Anwendungen
● Batteriebetriebene Systeme
● Halbleiterrelais
● Direkte Schnittstelle auf Logikebene: TTL/CMOS



Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
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Langlebigkeit

 

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