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2N7002T MOSFET de alimentación de canal N SOT-523
● Baja capacitancia de entrada
● Velocidad de conmutación rápida
● Bajas fugas de entrada/salida
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Introducción del producto
El 2N7002T es un MOSFET de canal N de modo de enriquecimiento alojado en un encapsulado SOT-523. Con una tensión drenador-fuente de 60 V y una corriente de drenador continua de 0.115 A, este dispositivo ofrece una conversión de potencia eficiente en un encapsulado compacto de montaje superficial. Su resistencia máxima en estado activo es inferior a 3 Ω a VGS=10 V, y alcanza una clasificación ESD de HBM ≥2000 V para un rendimiento antiestático mejorado.
Características del producto
- MOSFET de canal N de modo de enriquecimiento, adecuado para aplicaciones de conmutación compactas de montaje superficial - Tensión drenador-fuente (Vdss): 60 V, admite un funcionamiento estable para circuitos de conmutación de media tensión - Corriente de drenador continua (Id): 0.115 A, ideal para aplicaciones de conmutación de pequeña señal - Resistencia en estado activo (RDS(on) a Vgs): ＜3 Ω a 10 V. La baja resistencia en estado activo ayuda a reducir las pérdidas por conducción - Clasificación ESD: HBM ≥2000 V, proporciona una buena protección contra descargas electrostáticas - Encapsulado: SOT-523, que facilita el diseño y montaje de PCB de alta densidad
Aplicaciones
El 2N7002T se utiliza ampliamente en aplicaciones de conmutación de señales pequeñas. Gracias a su encapsulado compacto SOT-523 y su protección ESD, permite una conmutación de señales fiable para diseños de circuitos con espacio limitado.
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
2N7002 MOSFET SOT-23 de mejora de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002E MOSFET SOT-23 de mejora de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
2N7002KDW MOSFET de potencia de canal N SOT-363
Marcas: slkor， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N-channel
2N7002KT MOSFET de potencia de canal N TO-523
Marcas: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 1A RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-channel
BSS123 MOSFET de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 150mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,120mA VTH： 2.8V@1mA P/N： N-Channel
BSS131 MOSFET de potencia de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 240V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 9.07Ω@4.5V,0.09A VTH： 1.4V@56μA P/N： N-channel
BSS138 MOSFET de potencia de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 220mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,220mA VTH： 1.6V@1mA P/N： N-Channel
BSS169 MOSFET de potencia de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 234mΩ@10V,1.5A VTH： 2.8V@250uA P/N： N-channel
IRF640, canal N, alimentación, encapsulado TO-220
Marcas: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 200V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 150mΩ@10V,11A VTH： 3V@250uA P/N： N-channel
IRF7341 MOSFET de potencia de canal N SOP-8
Marcas: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： 60V Id(A)： 5A RDSON(Ω)： 30mΩ@10V,4A VTH： 2.5V@250uA P/N： N-channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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