MOSFET di potenza a canale N 2N7002T ad alta affidabilità, contenitore SOT-523, produttore

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2N7002T MOSFET di potenza a canale N SOT-523

● Bassa capacità di ingresso

● Velocità di commutazione elevata

● Bassa dispersione in ingresso/uscita

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Riepilogo dei prodotti
●V_DS 60V
● Io_D 300mA
● r_{DS (ON)}(a V_GS=10V) <2.5ohm
● r_{DS (ON)}(a V_GS=4.5V) <3.0ohm

Descrizione generale
● Tecnologia Trench Power MV MOSFET
● Piccolo interruttore di segnale controllato in tensione
● Bassa capacità di ingresso
● Velocità di commutazione elevata
● Bassa dispersione in ingresso/uscita

Applicazioni
● Sistemi alimentati a batteria
● Relè a stato solido
● Interfaccia a livello logico diretta: TTL/CMOS

Nome

Titolo

Descrizione

2N7002T SOT-523.pdf

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