MOSFET silikon karbida dapat secara signifikan meningkatkan efisiensi pemanasan induksi frekuensi tinggi

Pemanasan induksi frekuensi tinggi menggunakan prinsip induksi elektromagnetik untuk memanaskan benda kerja, dan distribusi kepadatan dayanya pada benda kerja yang dipanaskan dapat diperoleh dengan mudah dengan pemilihan frekuensi dan desain kumparan induksi yang masuk akal. Karena pembatasan elemen switching elektronik, catu daya pemanas induksi frekuensi tinggi selalu mengadopsi struktur osilasi tabung elektron, yang tidak hanya tidak efisien, besar, mahal, tetapi juga berbahaya bagi tegangan tinggi.

Dengan berkembangnya perangkat elektronika daya, MOSFET, IGBT, SiC dan perangkat switching baru lainnya muncul satu demi satu, yang menyediakan fondasi komponen untuk miniaturisasi dan efisiensi tinggi dari catu daya pemanas induksi frekuensi tinggi. SiC MOSFET adalah perangkat semikonduktor paling menjanjikan dari catu daya pemanas induksi frekuensi tinggi karena frekuensi operasinya yang tinggi, konduksi yang rendah, dan kehilangan peralihan yang rendah.

Gambar 1: Diagram blok prinsip catu daya pemanas induksi frekuensi tinggi

Gambar 1 menunjukkan diagram blok prinsip catu daya pemanas induksi frekuensi tinggi, di mana frekuensi peralihan modul daya yang digunakan dalam rangkaian inverter daya menentukan efisiensi dan volume seluruh mesin. Untuk meningkatkan efisiensi dan mengurangi volume pasokan listrik sebanyak mungkin, perangkat listrik perlu beroperasi pada frekuensi switching yang lebih tinggi, sekaligus mengurangi kerugian konduksi dan switching.

SiC MOSFET baru yang diperkenalkan oleh CREE Company memiliki keunggulan frekuensi operasi yang tinggi, kehilangan konduksi yang rendah, dll. Sangat cocok untuk aplikasi pada peralatan pemanas induksi, yang dapat meningkatkan frekuensi switching, mengurangi volume reaktor dan kapasitor perangkat filter. , dan meningkatkan efisiensi seluruh mesin. Membantu produsen peralatan pemanas induksi yang efektif untuk meluncurkan generasi baru produk berfrekuensi tinggi, berefisiensi tinggi, dan bervolume kecil.

Gambar 2: Pengembangan cetakan MOSFET Creesic

Gambar 2 menunjukkan bahwa CREE terus berinovasi di bidang SiC. Sejauh ini, cetakan SiC MOSFET generasi ketiga telah diperkenalkan. Dibandingkan dengan cetakan generasi pertama, area cetakan SiC MOSFET generasi terbaru telah dikurangi menjadi 42%, sehingga sangat mengurangi impedansi konduksi dan kehilangan konduksi.

Gambar 3: perbandingan efisiensi SiC MOS dan Si MOS dalam kondisi yang sama

Gambar 3 menunjukkan perbandingan efisiensi prototipe yang diuji dengan menggunakan SiC MOS dan Si MOS pada kondisi pengujian yang sama. Dapat dilihat dari grafik bahwa dengan peningkatan daya yang konstan, penggunaan SiC MOS dapat meningkatkan efisiensi peralatan secara signifikan dan mengurangi kehilangan produk.

Penafian: Artikel ini direproduksi dari "Bahan Semikonduktor SiC Silikon Karbida". Artikel ini hanya mewakili pandangan pribadi penulis, dan tidak mewakili pandangan Sacco Micro dan industri. Ini hanya untuk dicetak ulang dan dibagikan untuk mendukung perlindungan hak kekayaan intelektual. Harap sebutkan sumber asli dan penulisnya saat mencetak ulang. Jika ada pelanggaran, silakan hubungi kami untuk menghapusnya.

Telp Perusahaan: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
Surel: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Manajer Li
QQ: 332496225 Manajer Qiu
Alamat: Kamar 809, Blok C, Gedung Teknologi Zhantao, No.1079 Minzhi Avenue, Distrik Baru Longhua, Shenzhen