Карбид кремния MOSFET может значительно повысить эффективность высокочастотного индукционного нагрева.

Высокочастотный индукционный нагрев использует принцип электромагнитной индукции для нагрева заготовки, а распределение плотности мощности в нагретой заготовке можно удобно получить путем выбора частоты и разумной конструкции индукционной катушки. Из-за ограничения количества электронных переключающих элементов в источнике питания высокочастотного индукционного нагрева всегда использовалась колебательная структура электронной трубки, которая не только неэффективна, громоздка, дорога, но и опасна для высокого напряжения.

С развитием силовых электронных приборов один за другим появляются MOSFET, IGBT, SiC и другие новые коммутационные устройства, которые обеспечивают компонентную основу для миниатюризации и повышения эффективности источников питания высокочастотного индукционного нагрева. SiC MOSFET является наиболее перспективным полупроводниковым устройством для высокочастотного источника питания индукционного нагрева из-за его высокой рабочей частоты, низкой проводимости и низких потерь на переключение.

Рисунок 1. Принципиальная блок-схема источника питания высокочастотного индукционного нагрева.

На рисунке 1 показана принципиальная блок-схема источника питания высокочастотного индукционного нагрева, в которой частота переключения силового модуля, используемого в схеме силового инвертора, определяет эффективность и объем всей машины. Чтобы повысить КПД и максимально уменьшить объем источника питания, необходимо заставить силовое устройство работать на более высокой частоте переключения, при этом уменьшив потери на проводимость и переключение.

Новый SiC MOSFET, представленный компанией CREE, обладает такими преимуществами, как высокая рабочая частота, низкие потери проводимости и т. д. Он очень подходит для применения в оборудовании индукционного нагрева, что позволяет увеличить частоту переключения, уменьшить объем реактора и конденсатора фильтрующего устройства. и повысить эффективность всей машины. Помогите эффективным производителям оборудования для индукционного нагрева запустить новое поколение высокочастотных, высокоэффективных и малосерийных продуктов.

Рисунок 2. Разработка кристалла Creesic MOSFET.

Рисунок 2 показывает, что CREE постоянно внедряет инновации в области SiC. На данный момент представлено третье поколение кристаллов SiC MOSFET. По сравнению с кристаллом первого поколения, площадь кристалла SiC MOSFET последнего поколения была уменьшена до 42%, что значительно снижает сопротивление проводимости и потери проводимости.

Рис. 3: сравнение эффективности SiC MOS и Si MOS в одинаковых условиях.

На рис. 3 показано сравнение эффективности прототипа, протестированного с использованием SiC MOS и Si MOS в одинаковых условиях испытаний. Из диаграммы видно, что при постоянном увеличении мощности использование SiC MOS позволяет значительно повысить эффективность оборудования и снизить потери продукции.

Отказ от ответственности: Эта статья воспроизведена из «Полупроводниковых материалов карбида кремния SiC». Эта статья отражает только личную точку зрения автора и не отражает точку зрения Sacco Micro и отрасли. Он предназначен только для перепечатки и распространения в целях защиты прав интеллектуальной собственности. При перепечатке просьба указывать первоисточник и автора. Если есть какие-либо нарушения, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы удалить их.

Тел. компании: +86-0755-83044319
Факс/факс:+86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли
QQ: 332496225 Менеджер Цю
Адрес: комната 809, блок C, здание Zhantao Technology Building, проспект Минчжи № 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.