MOSFET cacbua silic có thể cải thiện đáng kể hiệu suất gia nhiệt cảm ứng tần số cao

Gia nhiệt cảm ứng tần số cao sử dụng nguyên lý cảm ứng điện từ để làm nóng phôi và có thể thuận tiện phân bổ mật độ công suất của nó trong phôi được gia nhiệt bằng cách lựa chọn tần số và thiết kế hợp lý của cuộn dây cảm ứng. Do hạn chế của các phần tử chuyển mạch điện tử, bộ nguồn cảm ứng tần số cao luôn sử dụng cấu trúc dao động ống điện tử, không chỉ kém hiệu quả, cồng kềnh, tốn kém mà còn nguy hiểm với điện áp cao.

Với sự phát triển của các thiết bị điện tử công suất, MOSFET, IGBT, SiC và các thiết bị chuyển mạch mới khác lần lượt xuất hiện, tạo thành nền tảng linh kiện cho việc thu nhỏ và hiệu suất cao của nguồn điện gia nhiệt cảm ứng tần số cao. SiC MOSFET là thiết bị bán dẫn hứa hẹn nhất trong nguồn cung cấp năng lượng sưởi ấm cảm ứng tần số cao vì tần số hoạt động cao, độ dẫn điện thấp và tổn thất chuyển mạch thấp.

Hình 1: Sơ đồ khối nguyên lý nguồn điện sưởi ấm cảm ứng tần số cao

Hình 1 thể hiện sơ đồ khối nguyên lý của nguồn điện sưởi ấm cảm ứng tần số cao, trong đó tần số chuyển mạch của mô-đun nguồn được sử dụng trong mạch biến tần nguồn quyết định hiệu suất và âm lượng của toàn bộ máy. Để nâng cao hiệu suất và giảm âm lượng nguồn điện càng nhiều càng tốt, cần làm cho thiết bị điện hoạt động ở tần số chuyển mạch cao hơn, đồng thời giảm tổn thất dẫn truyền và chuyển mạch.

MOSFET SiC mới được Công ty CREE giới thiệu có ưu điểm là tần số hoạt động cao, tổn hao dẫn điện thấp,… Rất thích hợp ứng dụng trong các thiết bị gia nhiệt cảm ứng, có thể tăng tần số chuyển mạch, giảm thể tích cuộn kháng và tụ điện của thiết bị lọc và tăng hiệu suất của toàn bộ máy. Giúp các nhà sản xuất thiết bị sưởi ấm cảm ứng hiệu quả tung ra thế hệ sản phẩm tần số cao, hiệu quả cao và khối lượng nhỏ.

Hình 2: Quá trình phát triển khuôn MOSFET Creesic

Hình 2 cho thấy CREE không ngừng đổi mới trong lĩnh vực SiC. Cho đến nay, thế hệ thứ ba của khuôn SiC MOSFET đã được giới thiệu. So với thế hệ khuôn đầu tiên, diện tích của khuôn SiC MOSFET thế hệ mới nhất đã giảm xuống 42%, do đó làm giảm đáng kể trở kháng dẫn và tổn thất dẫn.

Hình 3: so sánh hiệu suất SiC MOS và Si MOS trong cùng điều kiện

Hình 3 cho thấy sự so sánh hiệu quả của nguyên mẫu được thử nghiệm bằng cách sử dụng SiC MOS và Si MOS trong cùng điều kiện thử nghiệm. Có thể thấy từ biểu đồ rằng với công suất tăng liên tục, việc sử dụng SiC MOS có thể cải thiện đáng kể hiệu suất của thiết bị và giảm thất thoát sản phẩm.

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Bài viết này được sao chép từ "Vật liệu bán dẫn silicon cacbua SiC". Bài viết này chỉ thể hiện quan điểm cá nhân của tác giả, không thể hiện quan điểm của Sacco Micro và ngành. Nó chỉ dành cho việc in lại và chia sẻ để hỗ trợ việc bảo vệ quyền sở hữu trí tuệ. Vui lòng ghi rõ nguồn và tác giả khi tái bản. Nếu có vi phạm vui lòng liên hệ với chúng tôi để xóa.

Điện thoại công ty: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
Email: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Quản lý Li
QQ: 332496225 Quản lý Qiu
Địa chỉ: Phòng 809, Khu C, Tòa nhà Công nghệ Zhantao, Số 1079 Đại lộ Minzhi, Quận Mới Long Hoa, Thâm Quyến