Silisyum karbür MOSFET, yüksek frekanslı indüksiyonlu ısıtma verimliliğini önemli ölçüde artırabilir

Yüksek frekanslı indüksiyonlu ısıtma, iş parçasını ısıtmak için elektromanyetik indüksiyon prensibini kullanır ve ısıtılan iş parçasındaki güç yoğunluğunun dağılımı, frekans seçimi ve indüksiyon bobininin makul tasarımı ile rahatlıkla elde edilebilir. Elektronik anahtarlama elemanlarının kısıtlanması nedeniyle, yüksek frekanslı indüksiyonlu ısıtma güç kaynağı her zaman yalnızca verimsiz, hantal, maliyetli değil aynı zamanda yüksek voltaj için tehlikeli olan elektron tüpü salınım yapısını benimsemiştir.

Güç elektroniği cihazlarının gelişmesiyle birlikte MOSFET, IGBT, SiC ve diğer yeni anahtarlama cihazları birbiri ardına ortaya çıkmakta olup, bunlar yüksek frekanslı indüksiyon ısıtma güç kaynağının minyatürleştirilmesi ve yüksek verimliliği için bileşen temeli sağlamaktadır. SiC MOSFET, yüksek çalışma frekansı, düşük iletkenliği ve düşük anahtarlama kaybı nedeniyle yüksek frekanslı indüksiyonlu ısıtma güç kaynağının en umut verici yarı iletken cihazıdır.

Şekil 1: Yüksek frekanslı indüksiyonlu ısıtma güç kaynağının prensip blok şeması

Şekil 1, güç çevirici devresinde kullanılan güç modülünün anahtarlama frekansının tüm makinenin verimliliğini ve hacmini belirlediği, yüksek frekanslı indüksiyonlu ısıtma güç kaynağının temel blok diyagramını göstermektedir. Verimliliği artırmak ve güç kaynağının hacmini mümkün olduğunca azaltmak için, güç cihazının daha yüksek anahtarlama frekansında çalışmasını sağlarken iletim ve anahtarlama kayıplarını da azaltmak gerekir.

CREE Şirketi tarafından tanıtılan yeni SiC MOSFET, yüksek çalışma frekansı, düşük iletim kaybı vb. avantajlara sahiptir. Anahtarlama frekansını artırabilen, reaktörün hacmini ve filtre cihazının kapasitörünü azaltabilen indüksiyonlu ısıtma ekipmanlarındaki uygulama için çok uygundur. ve tüm makinenin verimliliğini artırın. Etkili indüksiyonlu ısıtma ekipmanı üreticilerinin yeni nesil yüksek frekanslı, yüksek verimli ve küçük hacimli ürünleri piyasaya sürmesine yardımcı olun.

Şekil 2: Creesic MOSFET kalıbının geliştirilmesi

Şekil 2 CREE'nin SiC alanında sürekli yenilik yaptığını göstermektedir. Şimdiye kadar üçüncü nesil SiC MOSFET kalıbı tanıtıldı. İlk nesil kalıpla karşılaştırıldığında, en yeni nesil SiC MOSFET kalıbının alanı %42'ye düşürüldü, böylece iletim empedansı ve iletim kaybı büyük ölçüde azaltıldı.

Şekil 3: SiC MOS ve Si MOS verimliliğinin aynı koşullar altında karşılaştırılması

Şekil 3, aynı test koşulları altında SiC MOS ve Si MOS kullanılarak test edilen prototipin verimlilik karşılaştırmasını göstermektedir. Grafikten, gücün sürekli artmasıyla SiC MOS kullanmanın ekipmanın verimliliğini önemli ölçüde artırabileceği ve ürün kaybını azaltabileceği görülebilir.

Yasal Uyarı: Bu makale "Silisyum Karbür SiC Yarı İletken Malzemeler" den çoğaltılmıştır. Bu makale yalnızca yazarın kişisel görüşlerini temsil eder ve Sacco Micro ve sektörün görüşlerini temsil etmez. Fikri mülkiyet haklarının korunmasını desteklemek amacıyla yalnızca yeniden basılması ve paylaşılması içindir. Lütfen yeniden basarken orijinal kaynağı ve yazarını belirtin. Herhangi bir ihlal varsa, silmek için lütfen bizimle iletişime geçin.

Şirket Tel: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
E-posta: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Yönetici Li
QQ: 332496225 Yönetici Qiu
Adres: Oda 809, Blok C, Zhantao Teknoloji Binası, No.1079 Minzhi Bulvarı, Longhua Yeni Bölgesi, Shenzhen