Hotline Layanan
● Teknologi MOSFET LV Trench Power
● Desain sel berdensitas tinggi untuk RDS(ON) rendah
● Peralihan Kecepatan Tinggi
Deskripsi
MOSFET N-Channel ini dirancang untuk memberikan kinerja tinggi dalam berbagai aplikasi elektronik. MOSFET ini memiliki tegangan drain-source (Vdss) maksimum sebesar 30V, dan arus drain kontinu (Id) sebesar 2.2A. Dengan rating disipasi daya (Pd) sebesar 0.5W, MOSFET ini memberikan operasi yang andal dengan tetap mempertahankan konsumsi daya yang rendah.
Fitur
● Teknologi MOSFET LV Trench Power
● Desain sel berdensitas tinggi untuk RDS(ON) rendah
● Peralihan Kecepatan Tinggi
Aplikasi
● Perlindungan baterai
● Saklar beban
● Manajemen daya
Bantuan
Jika Anda memerlukan dukungan desain/teknis, beri tahu kami dan isi Formulir Tanggapan. Kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin.
Umur panjang
Program Keberlangsungan Produk bertujuan untuk memberikan informasi kepada pelanggan kami dari waktu ke waktu tentang perkiraan waktu pemesanan produk kami. Program Keberlangsungan Produk ini ditinjau dan diperbarui secara berkala oleh Tim Manajemen Eksekutif kami. Lihat program keberlangsungan produk kami di sini.















