Produk
Produk
FDN337N Peningkatan N-Saluran MOSFET SOT-23

● Teknologi MOSFET LV Trench Power

● Desain sel berdensitas tinggi untuk RDS(ON) rendah

● Peralihan Kecepatan Tinggi

Deskripsi

MOSFET N-Channel ini dirancang untuk memberikan kinerja tinggi dalam berbagai aplikasi elektronik. MOSFET ini memiliki tegangan drain-source (Vdss) maksimum sebesar 30V, dan arus drain kontinu (Id) sebesar 2.2A. Dengan rating disipasi daya (Pd) sebesar 0.5W, MOSFET ini memberikan operasi yang andal dengan tetap mempertahankan konsumsi daya yang rendah.


Fitur

● Teknologi MOSFET LV Trench Power

● Desain sel berdensitas tinggi untuk RDS(ON) rendah

● Peralihan Kecepatan Tinggi


Aplikasi

● Perlindungan baterai

● Saklar beban

● Manajemen daya


Nama
Judul
Deskripsi
Lembar Data
Dukungan

Bantuan

 

Jika Anda memerlukan dukungan desain/teknis, beri tahu kami dan isi Formulir Tanggapan. Kami akan menghubungi Anda sesegera mungkin.

Umur panjang

 

Program Keberlangsungan Produk bertujuan untuk memberikan informasi kepada pelanggan kami dari waktu ke waktu tentang perkiraan waktu pemesanan produk kami. Program Keberlangsungan Produk ini ditinjau dan diperbarui secara berkala oleh Tim Manajemen Eksekutif kami. Lihat program keberlangsungan produk kami di sini.

whatsapp

Hotline Layanan

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950