Service-Hotline
● Trench Power LV MOSFET-Technologie
● Hochdichtes Zelldesign für niedrigen RDS(ON)
● High-Speed-Umschaltung
Beschreibung
Dieser N-Kanal-MOSFET ist für hohe Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen konzipiert. Er verfügt über eine maximale Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 2.2 A. Mit einer Verlustleistung (Pd) von 0.5 W bietet dieser MOSFET einen zuverlässigen Betrieb bei gleichzeitig niedrigem Stromverbrauch.
Eigenschaften
● Trench Power LV MOSFET-Technologie
● Hochdichtes Zelldesign für niedrigen RDS(ON)
● High-Speed-Umschaltung
Anwendung
● Batterieschutz
● Lastschalter
● Energieverwaltung
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.















