ผลิตภัณฑ์
ผลิตภัณฑ์
FDN337N การเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel MOSFET SOT-23

● เทคโนโลยี Trench Power LV MOSFET

● การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงสำหรับ RDS ต่ำ (ON)

● การสลับความเร็วสูง

รายละเอียด

N-Channel MOSFET นี้ได้รับการออกแบบมาให้มีประสิทธิภาพสูงในการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ โดยมีแรงดันไฟฟ้าเดรน-ซอร์สสูงสุด (Vdss) ที่ 30V และกระแสเดรนต่อเนื่อง (Id) ที่ 2.2A ด้วยค่าการกระจายพลังงาน (Pd) ที่ 0.5W MOSFET นี้จึงทำงานได้อย่างน่าเชื่อถือในขณะที่ยังคงใช้พลังงานต่ำ


คุณสมบัติ

● เทคโนโลยี Trench Power LV MOSFET

● การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงสำหรับ RDS ต่ำ (ON)

● การสลับความเร็วสูง


การใช้งาน

● การป้องกันแบตเตอรี่

● สวิตช์โหลด

● การจัดการพลังงาน


ชื่อ
ชื่อหนังสือ
รายละเอียด
แผ่นข้อมูล
Support

Support

 

หากคุณต้องการความช่วยเหลือด้านการออกแบบ/เทคนิค โปรดแจ้งให้เราทราบและกรอกแบบฟอร์มตอบกลับ เราจะติดต่อกลับคุณโดยเร็วที่สุด

ช่วงชีวิต

 

โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้า (Longevity Program) มีจุดประสงค์เพื่อให้ข้อมูลแก่ลูกค้าของเราเป็นระยะๆ เกี่ยวกับระยะเวลาที่คาดว่าจะสามารถสั่งซื้อสินค้าของเราได้ โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้รับการตรวจสอบและปรับปรุงอย่างสม่ำเสมอโดยทีมผู้บริหารของเรา ดูรายละเอียดโปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้ที่นี่

whatsapp

บริการสายด่วน

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950