บริการสายด่วน
● เทคโนโลยี Trench Power LV MOSFET
● การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงสำหรับ RDS ต่ำ (ON)
● การสลับความเร็วสูง
รายละเอียด
N-Channel MOSFET นี้ได้รับการออกแบบมาให้มีประสิทธิภาพสูงในการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ โดยมีแรงดันไฟฟ้าเดรน-ซอร์สสูงสุด (Vdss) ที่ 30V และกระแสเดรนต่อเนื่อง (Id) ที่ 2.2A ด้วยค่าการกระจายพลังงาน (Pd) ที่ 0.5W MOSFET นี้จึงทำงานได้อย่างน่าเชื่อถือในขณะที่ยังคงใช้พลังงานต่ำ
คุณสมบัติ
● เทคโนโลยี Trench Power LV MOSFET
● การออกแบบเซลล์ความหนาแน่นสูงสำหรับ RDS ต่ำ (ON)
● การสลับความเร็วสูง
การใช้งาน
● การป้องกันแบตเตอรี่
● สวิตช์โหลด
● การจัดการพลังงาน
Support
หากคุณต้องการความช่วยเหลือด้านการออกแบบ/เทคนิค โปรดแจ้งให้เราทราบและกรอกแบบฟอร์มตอบกลับ เราจะติดต่อกลับคุณโดยเร็วที่สุด
ช่วงชีวิต
โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้า (Longevity Program) มีจุดประสงค์เพื่อให้ข้อมูลแก่ลูกค้าของเราเป็นระยะๆ เกี่ยวกับระยะเวลาที่คาดว่าจะสามารถสั่งซื้อสินค้าของเราได้ โปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้รับการตรวจสอบและปรับปรุงอย่างสม่ำเสมอโดยทีมผู้บริหารของเรา ดูรายละเอียดโปรแกรมติดตามระยะเวลารอคอยสินค้าได้ที่นี่















