उत्पाद
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FDN337N एन-चैनल एन्हांसमेंट MOSFET SOT-23

● ट्रेंच पावर LV MOSFET तकनीक

● कम RDS(ON) के लिए उच्च घनत्व सेल डिजाइन

● हाई स्पीड स्विचिंग

विवरण

यह एन-चैनल MOSFET विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों में उच्च प्रदर्शन देने के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसमें 30V का अधिकतम ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (Vdss) और 2.2A का निरंतर ड्रेन करंट (Id) है। 0.5W की पावर डिसिपेशन (Pd) रेटिंग के साथ, यह MOSFET कम बिजली की खपत को बनाए रखते हुए विश्वसनीय संचालन प्रदान करता है।


विशेषताएं

● ट्रेंच पावर LV MOSFET तकनीक

● कम RDS(ON) के लिए उच्च घनत्व सेल डिजाइन

● हाई स्पीड स्विचिंग


आवेदन

● बैटरी सुरक्षा

● लोड स्विच

● विद्युत प्रबंधन


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