Che cos'è l'IGBT?

Il cosiddetto IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo semiconduttore di potenza composito, completamente controllato in tensione, composto da un BJT (Bipolar Junction Transistor) e un MOS (Insulated Gate Field Effect Transistor). Possiede la caratteristica di auto-spegnimento.

In parole semplici, si tratta di un interruttore che può essere acceso o spento. L'IGBT non ha la funzione di amplificare la tensione. Quando è acceso, può essere considerato come un filo, mentre quando è spento, si comporta come un circuito aperto. L'IGBT combina i vantaggi dei dispositivi BJT e MOSFET, come la bassa potenza di pilotaggio e la caduta di tensione di saturazione.

Attualmente, le linee di produzione di chip da 5 e 6 pollici di Silan Micro sono operative in modo stabile e anche la linea di produzione di chip da 8 pollici è stata messa in funzione con successo. L'azienda ha completato con successo la ricerca e lo sviluppo di BCD ad alta tensione, IGBT a gate a trincea ultrasottili, MOSFET ad alta tensione a supergiunzione, MOSFET a gate a trincea ad alta densità, diodi a recupero rapido, sensori MEMS e altri processi.  
Hua Microelettronica
Sito web ufficiale: http://www.hwdz.com.cn/
Jilin Hua Microelectronics Co., Ltd. è stata fondata nel 1999. Integra la progettazione e lo sviluppo di dispositivi a semiconduttore di potenza, la lavorazione dei chip, il collaudo del packaging e la commercializzazione dei prodotti. Le informazioni sul sito web ufficiale indicano che possiede diverse linee di produzione di dispositivi discreti a semiconduttore di potenza e chip IC da 4, 5 e 6 pollici. La capacità di lavorazione dei chip è di 4 milioni di pezzi all'anno, le risorse per il packaging ammontano a 2.4 miliardi di pezzi all'anno e i moduli a 3.6 milioni di pezzi all'anno. Ad aprile di quest'anno, China Microelectronics ha annunciato l'intenzione di raccogliere fondi per un progetto di linea di produzione da 8 pollici. I chip IGBT con vari livelli di tensione e corrente da 600V a 1700V sono uno dei punti focali del progetto.  
Risorse cinesi Micro
Sito web ufficiale: https://www.crmicro.com/
China Resources Microelectronics, precedentemente nota come AVIC (Chongqing) Microelectronics Co., Ltd., integra progettazione, ricerca e sviluppo, produzione e servizi nel settore dei semiconduttori. Si basa su dispositivi a semiconduttore di potenza e circuiti integrati analogici/di potenza e punta ai mercati dell'elettronica industriale, dell'elettronica di consumo, dell'elettronica automobilistica e delle comunicazioni 5G. Possiede piattaforme di sviluppo tecnologico e di produzione per dispositivi di potenza, GaN, sensori MEMS e altre tecnologie.  
China Resources Micro possiede la prima linea di produzione di wafer da 8 pollici di proprietà nazionale dedicata ai dispositivi di potenza, con una capacità produttiva mensile di 51,000 wafer, una capacità di processo di 0.18 micron e una linea di produzione speciale da 8 pollici. Attualmente, l'azienda ha avviato la pianificazione della costruzione di una linea di produzione di wafer da 12 pollici e delle relative linee di confezionamento e collaudo, destinate principalmente alla produzione di semiconduttori di potenza come MOSFET, IGBT e chip per la gestione dell'alimentazione.  
Tecnologia Yangjie
Sito web ufficiale: http://www.21yangjie.com/
La Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. è stata fondata nell'agosto del 2006. Si dedica allo sviluppo industriale della produzione di chip e dispositivi a semiconduttore di potenza, al confezionamento e al collaudo di circuiti integrati e ad altri settori. I suoi prodotti principali includono vari chip per dispositivi elettronici di potenza, diodi di potenza, ponti raddrizzatori, moduli ad alta potenza, prodotti DFN/QFN, SGT MOS e SBD al carburo di silicio, JBS al carburo di silicio, ecc.  
È noto che, per quanto riguarda gli IGBT, Yangjie Technology ha acquisito il controllo di una linea di produzione di wafer da 6 pollici situata a Yixing nel marzo 2018. Attualmente, questa linea di produzione produce in serie chip IGBT, utilizzati principalmente in piccoli elettrodomestici come i piani cottura a induzione. Yangjie Technology ha dichiarato sulla piattaforma interattiva che nel 2018 l'azienda ha effettivamente prodotto quasi 6,000 chip IGBT.  
       

modulo

Il modulo IGBT è un prodotto semiconduttore modulare costituito da un chip IGBT (transistor bipolare a gate isolato) e un chip FWD (diodo di ricircolo) collegati tramite un circuito stampato specifico. Il modulo IGBT, una volta assemblato, viene utilizzato direttamente in inverter, gruppi di continuità (UPS) e altre apparecchiature simili. I moduli IGBT presentano le caratteristiche di risparmio energetico, facilità di installazione e manutenzione e dissipazione del calore stabile. Attualmente, la maggior parte dei prodotti modulari venduti sul mercato appartiene a questa categoria. In generale, con il termine IGBT ci si riferisce anche ai moduli IGBT. Con l'avanzare di concetti come il risparmio energetico e la tutela dell'ambiente, tali prodotti diventeranno sempre più comuni sul mercato.

Shanghai Luxin Electronic Technology

Si concentra sulla progettazione e l'applicazione di semiconduttori di potenza (IGBT, SJMOS e SiC), inclusi chip, singoli transistor e moduli. Presenta i seguenti vantaggi: ottimizzando l'anello terminale della tensione di tenuta, raggiunge un'elevata tensione di blocco dell'IGBT, riduce efficacemente l'area del chip e raggiunge gli standard di affidabilità di livello industriale e automobilistico; controllando la durata di vita dei portatori minoritari, ottimizza la caduta di tensione di saturazione e la velocità di commutazione; realizza un'area operativa sicura (SOA) e un SCSOA in cortocircuito con le migliori prestazioni nell'attuale area operativa sicura; migliora l'affidabilità della progettazione della cella dell'area attiva dell'IGBT e sopprime l'effetto latch-up dell'IGBT; regola l'assottigliamento del lato posteriore, l'impiantazione, la ricottura, la doratura posteriore e altri processi; e consente la produzione di massa su larga scala di wafer con spessore da 60 µm a 180 µm.

Semiconduttore di Jiangsu Donghai

La Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co., Ltd. è stata fondata nel dicembre 2004 con un capitale sociale di 53.3 milioni di yuan e 325 dipendenti. È un'azienda high-tech specializzata nella progettazione, sviluppo, confezionamento e collaudo di dispositivi di potenza a semiconduttore. La nostra azienda ha investito complessivamente 280 milioni di yuan, mentre lo stabilimento di produzione di chip con cui collaboriamo ha investito 60 miliardi di yuan. La nostra azienda ha ottenuto le certificazioni del sistema di qualità ISO 90001, del sistema di gestione ambientale ISO 140001 e del sistema di gestione della qualità TS 16949, e ha conseguito la certificazione di Impresa High-Tech di Wuxi e la certificazione di Impresa High-Tech Nazionale. I suoi prodotti sono stati riconosciuti come marchi prestigiosi della città di Wuxi e della provincia di Jiangsu. È un'azienda riconosciuta dall'Amministrazione Statale per l'Industria e il Commercio come impresa affidabile e rispettosa dei contratti. La Jiangsu Donghai Semiconductor Technology detiene numerosi brevetti di utilità e brevetti di invenzione. Ha depositato quasi cento brevetti per invenzioni e modelli di utilità e ha ottenuto l'autorizzazione a istituire il Centro di ricerca e tecnologia ingegneristica della provincia di Jiangsu, con l'approvazione del Dipartimento di scienza e tecnologia della provincia di Jiangsu. È una delle aziende di confezionamento e collaudo di semiconduttori più competitive in Cina.

Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co., Ltd. si è sempre impegnata a migliorare la qualità dei prodotti e a mantenere elevati standard internazionali in termini di packaging, apparecchiature di test, tecnologie di confezionamento e selezione dei materiali. L'azienda è dotata di macchine automatiche per il bonding di cristalli e fili, macchine automatiche per il taglio delle nervature, macchine automatiche per il test e la selezione e altre apparecchiature. L'azienda continua ad aumentare gli investimenti nella ricerca e sviluppo di circuiti integrati e packaging per dispositivi di potenza, e implementa sempre un rigoroso sistema di controllo qualità durante il processo di produzione e lavorazione. Fin dalla sua fondazione, i suoi prodotti hanno ottenuto le certificazioni ambientali ROHS e senza alogeni, in base alle diverse esigenze dei clienti. L'azienda si occupa principalmente del packaging di contenitori TO251, TO252, TO263, TO220, TO220F, TO3P, TO247, SOT e QFN. Serie di prodotti: MOSFET, diodi Schottky, diodi a recupero rapido, tiristori, regolatori di tensione a tre terminali, IGBT.

Shenzhen Xinneng Semiconductor Technology Co., Ltd. è stata fondata nel 2013. È una società partecipata da istituzioni di rilievo come Shenzhen Zhengxuan Technology, la Commissione per la supervisione e l'amministrazione dei beni statali di Shenzhen, il Fondo per l'innovazione dei talenti di Shenzhen, Dachen Venture Capital, Fangguang Capital, Xiamen Falcon e altre ancora. L'azienda si dedica alla ricerca e sviluppo, all'applicazione e alla vendita di chip IGBT, driver per IGBT e moduli di potenza intelligenti ad alta potenza.  
Attualmente, Xinneng si concentra su prodotti IGBT di piccola e media potenza da 600 V e 1200 V. Offre una gamma completa di prodotti in quattro settori: transistor IGBT singoli, IPM, moduli IGBT e HVIC, e le prestazioni dei suoi prodotti sono leader a livello nazionale.  
Stella Jiaxing
Sito web ufficiale: http://www.powersemi.cc/
Jiaxing Star Semiconductor Co., Ltd. è stata fondata nell'aprile del 2005. Si tratta di un'impresa nazionale ad alta tecnologia specializzata nella ricerca e sviluppo, produzione e vendita di componenti semiconduttori di potenza, in particolare moduli IGBT. I suoi prodotti principali sono componenti semiconduttori di potenza, tra cui IGBT, MOSFET, IPM, FRD, SiC, ecc. Ha sviluppato con successo quasi 600 tipi di moduli IGBT, con livelli di tensione che vanno da 100V a 3300V e livelli di corrente che vanno da 10A a 3600A.  
In termini di tecnologia, Jiaxing Star ha sviluppato una gamma completa di chip IGBT planari di tipo NPT da 1200 V e una gamma completa di chip IGBT a gate trincerato con interruzione di campo da 650 V, 750 V, 1200 V e 1700 V. Ha risolto importanti problematiche relative alle tecnologie di processo, tra cui la tecnologia di assottigliamento dei wafer da 8 pollici, la tecnologia di impiantazione ionica ad alta energia sul lato posteriore, la tecnologia di attivazione mediante ricottura laser sul lato posteriore e la tecnologia di formazione di trincee per gate trincerato.  
Macro Microtecnologia
Sito web ufficiale: http://www.macmicst.com/
Hongwei Technology Co., Ltd. è stata fondata nell'agosto del 2006 e opera nel settore dei componenti elettronici di potenza. La sua attività comprende la progettazione, la ricerca e lo sviluppo, la produzione e la vendita di nuovi chip semiconduttori di potenza, dispositivi discreti e moduli, come chip FRED, VDMOS, IGBT, dispositivi discreti, moduli standard e moduli personalizzati (CSPM). Offre inoltre soluzioni di progettazione modulare, produzione e sistemi per dispositivi elettronici di potenza efficienti e a risparmio energetico.  
Nel 2018, Acer Technology e BAIC New Energy hanno istituito l'Acer-BAIC New Energy IGBT Joint Laboratory, con l'obiettivo di costruire congiuntamente una filiera industriale per i controller di motori, dalla progettazione dei chip alla progettazione e confezionamento dei moduli, fino alla progettazione e produzione dei controller stessi. Il rapporto annuale di Acer Micro Technology mostra che nel 2018 i volumi di vendita dei suoi moduli IGBT per veicoli elettrici sono gradualmente aumentati nelle applicazioni industriali SVG, e che sono iniziate anche le vendite in lotti di prodotti personalizzati per i clienti.

Storia dello sviluppo della tecnologia IGBT

Sito web ufficiale: http://www.ncepower.com/
Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. è stata fondata nel 2013. La sua attività principale consiste nella ricerca e sviluppo, progettazione e vendita di dispositivi di potenza a semiconduttore come MOSFET e IGBT. I prodotti principali si dividono in chip e prodotti confezionati, a seconda che siano incapsulati o meno. Sono ampiamente utilizzati nell'elettronica di consumo, nell'elettronica automobilistica, nell'elettronica industriale, nei veicoli/stazioni di ricarica a energia alternativa, nella produzione di apparecchiature intelligenti, nell'Internet delle cose, nelle energie rinnovabili fotovoltaiche e in altri settori.  
 Attualmente, i principali prodotti di Wuxi New Clean Energy includono MOSFET di potenza a canale trincea da 12V a 200V (canale N e canale P), MOSFET di potenza a gate schermato da 30V a 300V (canale N e canale P), MOSFET di potenza a super giunzione da 500V a 900V e IGBT a gate trincea con arresto di campo da 600V a 1350V. La relativa tecnologia di base ha ottenuto numerose autorizzazioni di brevetto e le quattro principali serie di prodotti sono state certificate come prodotti ad alta tecnologia nella provincia di Jiangsu.  
 

Sito web ufficiale di Daxin Semiconductor: http://www.daxin-semi.com/ Ningbo Daxin Semiconductor Co., Ltd. è stata fondata nel 2013. Si tratta di una joint venture sino-straniera ad alta tecnologia fondata da medici rientrati dall'estero. Si occupa principalmente della progettazione, produzione e vendita di chip e dispositivi a semiconduttore di potenza come IGBT, MOSFET e FRD. Possiede la tecnologia di integrazione di progettazione e processo per chip a semiconduttore di potenza come IGBT, MOSFET e FRD. Ha realizzato un laboratorio per il collaudo delle prestazioni, l'applicazione e l'affidabilità dei prodotti IGBT e dispone di una linea di produzione per la ricerca e sviluppo di moduli IGBT con mezzi completi di collaudo e produzione.

Sito web ufficiale di Advanced Semiconductor: http://www.asmcs.com/ Shanghai Advanced Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., precedentemente Shanghai Philips Semiconductor Company, fondata nel 1988 da una joint venture sino-olandese, dispone di linee di produzione di wafer da 5, 6 e 8 pollici. Si concentra sulla produzione di circuiti analogici e dispositivi di potenza. Dal 2004 fornisce servizi di fonderia IGBT sia a livello nazionale che internazionale. Nel 2008 Shanghai Advanced ha istituito una linea di processo per il backside degli IGBT in Cina. Possiede capacità di processo complete per gli IGBT, tra cui frontside, backside e test. La gamma di tensione degli IGBT/FRD copre 650V, 1200V, 1700V, 3300V, 4500V e 6500V. Le sue capacità tecniche includono PT, NPT, Field Stop, nonché IGBT planari e a trincea, ecc. Il suo stabilimento di produzione di wafer da 6 pollici si concentra sulle piattaforme di processo IGBT planari e FRD, con tensioni che coprono 1200V~6500V, mentre il suo stabilimento di produzione di wafer da 8 pollici si concentra sulle piattaforme di processo IGBT Trench Field Stop, con tensioni che coprono 450V~1700V.

Sito web ufficiale di China Resources CSMC: http://www.csmc.com.cn/ Wuxi China Resources CSMC Technology Co., Ltd. è affiliata a China Resources Microelectronics Co., Ltd., una sussidiaria di China Resources Group responsabile del settore dei semiconduttori. CSMC offre ai clienti un'ampia gamma di tecnologie di produzione di wafer, tra cui BCD, Mixed-Signal, HV CMOS, RFCMOS, Embedded-NVM, BiCMOS, Logic, MOSFET, IGBT, SOI, MEMS, Bipolar e altri processi standard, oltre a una serie di piattaforme di processo personalizzate.  
CSMC possiede la più grande linea di fonderia da 6 pollici e una linea di fonderia da 8 pollici in Cina. La capacità produttiva mensile della linea da 6 pollici supera le 110,000 unità. L'attuale capacità produttiva mensile della linea da 8 pollici ha raggiunto le 35,000 unità. In futuro, si prevede di raggiungere una capacità produttiva mensile complessiva di 60,000 unità e di aggiornare la tecnologia di processo a 0.11 micron. Per quanto riguarda gli IGBT, CSMC ha annunciato nel 2012 di aver completato lo sviluppo delle piattaforme di processo per IGBT NPT planari da 600 V e 1700 V e per IGBT PT a trincea da 600 V.  
  Principali aziende e principali prodotti nella filiera produttiva nazionale degli IGBT
 

Nota: questo articolo è riprodotto da Internet e rispetta i diritti di proprietà intellettuale. Si prega di indicare la fonte originale e l'autore in caso di ristampa. In caso di violazione del copyright, si prega di contattarci per richiederne la rimozione.

Numero di telefono dell'azienda: +86-0755-83044319
Fax: +86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Responsabile Li

QQ: 332496225 Responsabile Qiu

Indirizzo: Stanza 809, Edificio C, Edificio Tecnologico Zhantao, Viale Minzhi n. 1079, Nuovo Distretto di Longhua, Shenzhen