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Transistor NPN Slkor BCP68-25: tensione di tenuta 20 V, 1 A, transistor di commutazione e amplificazione a media corrente SOT-223

2026-11-09 271
Il BCP68-25 è un transistor bipolare NPN al silicio in contenitore SOT-223 per montaggio superficiale. La sua corrente di collettore CC massima raggiunge 1 A con una tensione di tenuta collettore-emettitore di 20 V. Il suo indice hFE è compreso tra 200 e 300. Offre una capacità di dissipazione di potenza media ed è utilizzato principalmente per circuiti di commutazione e amplificazione generici in condizioni di corrente elevata. Grazie all'ampio intervallo di temperatura di funzionamento e alla compatibilità con la produzione a montaggio superficiale, può realizzare amplificazione del segnale e commutazione di circuiti in scenari a bassa tensione e corrente medio-alta. Il processo di declassamento basato sulle prestazioni termiche del contenitore deve essere completato in fase di progettazione hardware.

SLKOR
Immagine del prodotto del transistor di commutazione e amplificazione Slkor BCP68-25


1. Parametri principali del prodotto

Condizioni di prova: temperatura ambiente 25℃. Tutti i valori riportati di seguito si riferiscono ai valori massimi assoluti e alle caratteristiche elettriche, salvo diversa indicazione.

  1. Contenitore e assegnazione dei pin: contenitore SOT-223 per montaggio superficiale; Pin 1 Base, Pin 2 Collettore, Pin 3 Emettitore.
  2. Valori nominali di tensione: Tensione collettore-base 32 V; Tensione collettore-emettitore 20 V; Tensione emettitore-base 5 V.
  3. Valori nominali attuali: corrente di collettore CC 1 A; corrente di collettore di picco 2 A; corrente di base di picco 200 mA.
  4. Parametri di potenza e termici: Dissipazione di potenza totale 1.35 W a temperatura ambiente di 25 °C; Resistenza termica giunzione-ambiente 91 °C/W; Temperatura massima di giunzione 150 °C.
  5. Intervallo di temperatura: temperatura di esercizio da -45℃ a +150℃; temperatura di stoccaggio da -65℃ a +150℃.
  6. Caratteristiche elettriche: Tensione di saturazione collettore-emettitore tipica 500mV; Tensione base-emettitore tipica 620mV; Frequenza di transizione minima 40MHz; Intervallo di guadagno di corrente CC 200-300 per rank-25; Corrente di interruzione massima del collettore 100nA; Corrente di interruzione massima dell'emettitore 100nA.

2. Caratteristiche principali del prodotto

  1. Elevata capacità di gestione della corrente: la corrente di collettore CC massima è di 1 A e la corrente di collettore di picco può raggiungere i 2 A, adatta per la progettazione di circuiti a montaggio superficiale a corrente medio-alta.
  2. Il contenitore SOT-223 per montaggio superficiale offre prestazioni di dissipazione del calore moderate e supporta la produzione automatica di saldatura a montaggio superficiale.
  3. Il BCP68-25 è una versione ad alto guadagno con guadagno di corrente continua da 200 a 300 e prestazioni di amplificazione stabili.
  4. Una bassa tensione di saturazione comporta una perdita di potenza relativamente bassa durante la fase di accensione.
  5. Ampio intervallo di temperature di funzionamento e stoccaggio, con possibilità di utilizzo da -45℃ a 150℃ e buona adattabilità ambientale.
  6. È disponibile un dispositivo di adattamento complementare per la realizzazione di circuiti amplificatori push-pull.

3. Principali campi di applicazione

  1. Circuiti di commutazione generici in condizioni di corrente elevata, controllo dell'interruttore sul lato basso.
  2. Circuiti di amplificazione del segnale a corrente medio-alta.
  3. Commutazione su linea elettrica per dispositivi elettronici di consumo e schede di controllo ausiliarie industriali.
  4. Circuiti di pilotaggio per MOSFET.
  5. Circuiti di controllo per apparecchiature alimentate a batteria.

4. Raccomandazioni di progettazione ingegneristica

  1. I valori massimi assoluti rappresentano i limiti superiori di sollecitazione. Per un funzionamento a lungo termine è necessario ridurre tensione, corrente e potenza. Non utilizzare continuamente il dispositivo ai valori massimi assoluti per evitare danni permanenti.
  2. La dissipazione di calore del package SOT-223 dipende in larga misura dall'area della lamina di rame del PCB. La dissipazione di potenza effettiva diminuisce con l'aumentare della temperatura ambiente. Ridurre ulteriormente la corrente di lavoro in condizioni operative ad alta temperatura.
  3. Per le applicazioni di commutazione, configurare correttamente la corrente di pilotaggio di base per garantire la completa saturazione del transistor. Per le applicazioni di amplificazione, impostare un punto di funzionamento a riposo adeguato per evitare la saturazione.
  4. La tensione inversa emettitore-base non deve mai superare i 5 V, altrimenti la giunzione dell'emettitore verrà danneggiata dalla sovratensione.
  5. La corrente di dispersione a circuito aperto aumenta significativamente in condizioni di alta temperatura. È necessario tenere conto dell'impatto della corrente di dispersione nella progettazione di circuiti ad alta impedenza.
  6. Adottare il dispositivo PNP complementare corrispondente per il circuito push-pull e prestare attenzione all'adattamento del guadagno dei dispositivi accoppiati.

5. Riepilogo del prodotto

Il BCP68-25 è un transistor al silicio NPN a media corrente in package SOT-223, con una tensione di tenuta di 20 V e una corrente di collettore nominale continua di 1 A. Il grado -25 offre un guadagno in continua di 200-300 con capacità di commutazione e amplificazione per la produzione di massa a montaggio superficiale. Progettato per applicazioni a bassa tensione e media-alta corrente, questo dispositivo è adatto per la commutazione a bassa tensione, l'amplificazione del segnale, il pilotaggio di MOSFET e altri circuiti. A causa dei limiti di resistenza termica del package, la capacità di potenza effettiva dipende dalle condizioni di dissipazione del calore sul PCB. Valutare la riduzione di potenza, configurare un pilotaggio di base adeguato e riservare un margine di tensione-corrente sufficiente nella progettazione hardware per un funzionamento affidabile a lungo termine del dispositivo.

Informazioni su Slkor:

Slkor ha uffici di ricerca e sviluppo a Busan, Corea del Sud, Pechino, Cina e Suzhou, Cina. La maggior parte della produzione, del confezionamento e dei test dei wafer viene effettuata in Cina. L'azienda impiega e collabora con individui e organizzazioni in tutto il mondo, con un laboratorio per i test di affidabilità e prestazioni dei prodotti e un magazzino centrale situato presso la sede centrale di Shenzhen. Slkor ha depositato oltre un centinaio di brevetti di invenzione, offre oltre 2,000 modelli di prodotti e serve oltre diecimila clienti in tutto il mondo. I suoi prodotti vengono esportati in paesi e regioni tra cui Europa, Americhe, Asia sud-orientale e Medio Oriente, rendendola una delle aziende di semiconduttori in rapida crescita negli ultimi anni. Con sistemi di gestione consolidati e flussi di lavoro semplificati, Slkor ha rapidamente migliorato la consapevolezza del marchio e la reputazione del suo "SLKOR" grazie alla sua eccezionale qualità e ai servizi standardizzati. La sua gamma di prodotti comprende tre serie principali: diodos, transistor e dispositivi di potenza, con la recente introduzione di nuovi prodotti come elementi Hall e dispositivi analogici, espandendo la sua presenza in sensori, microcontrollori Risc-v e altre categorie di prodotti.

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