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Diodo a recupero ultrarapido F1J SOD-123FL
L'F1J è un diodo a recupero ultraveloce confezionato in SOD-123FL. Costruito in silicio ad alte prestazioni, è progettato per fornire tempi di recupero inverso eccezionalmente bassi ed eccellente capacità di gestione della corrente. Questo diodo è progettato su misura per alimentatori switching ad alta frequenza e altri circuiti che richiedono una conversione efficiente dell'energia, offrendo eccezionali prestazioni di recupero inverso della tensione e caratteristiche di temperatura stabili.
I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione
L'F1J è un diodo a recupero ultraveloce confezionato in SOD-123FL. Costruito in silicio ad alte prestazioni, è progettato per fornire tempi di recupero inverso eccezionalmente bassi ed eccellente capacità di gestione della corrente. Questo diodo è progettato su misura per alimentatori switching ad alta frequenza e altri circuiti che richiedono una conversione efficiente dell'energia, offrendo eccezionali prestazioni di recupero inverso della tensione e caratteristiche di temperatura stabili.
Applicazioni
●Alimentatori a commutazione
●Invertitori di potenza
●Driver LED
●Apparecchiature per le comunicazioni
Caratteristiche
●Dispositivo con vetro passivato
●Ideale per applicazioni montate su superficie
●Bassa perdita inversa
●Costruzione legata metallurgicamente
● Saldatura ad alta temperatura garantita: 250 ℃/10 secondi, lunghezza cavo di 0.375 mm (9.5 pollici), 5 libbre. (2.3 kg) di tensione
Nome
Titolo
Descrizione
Scheda tecnica
Supporto
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
FR107 Diodo a recupero ultra veloce SOD-123FL
Marca: slkor， VRRM(V)： 1000V IO(A)： 1A VF(V)： 1.3V IR(A)： 5μA trr(ns)： 500ns Package： SOD-123FL
Diodo raddrizzatore a recupero rapido RS2D SMA
Marca: slkor， VRRM(V)： 200V IO(A)： 2A VF(V)： 1.3V IR(A)： 5μA trr(ns)： 150ns Package： SMA
Diodo raddrizzatore a recupero rapido RS2J SMA
Marca: slkor， VRRM(V)： 600V IO(A)： 2A VF(V)： 1.3V IR(A)： 5μA trr(ns)： 250ns Package： SMA
Diodo a recupero rapido RS2M SMA
Marca: slkor， VRRM(V)： 1000V IO(A)： 2A VF(V)： 1.3V IR(A)： 5μA trr(ns)： 500ns Package： SMA
Raddrizzatore a ripristino rapido RS5MB SMB
Marca: slkor， VRRM(V)： 1000V IO(A)： 5A VF(V)： 1.3V IR(A)： 10μA trr(ns)： 500ns Package： SMB
Diodo a recupero ultrarapido F1D SOD-123FL
Marca: slkor， VRRM(V)： 200V IO(A)： 1A VF(V)： 1.3V IR(A)： 5.0mA trr(ns)： 150ns Package： SOD-123FL
Diodo raddrizzatore a recupero rapido SMAF US2MF
Marca: slkor， VRRM(V)： 1000V IO(A)： 2A VF(V)： 1.65V IR(A)： 5μA trr(ns)： 75ns Package： SMAF
Diodo a recupero ultrarapido F1M SOD-123FL
Marca: slkor， VRRM(V)： 1000V IO(A)： 1.0A VF(V)： 1.3V IR(A)： 5.0mA trr(ns)： 500ns Package： SOD-123FL
Diodo raddrizzatore a recupero rapido RS2MW
Marca: slkor， VRRM(V)： 1000V IO(A)： 2A VF(V)： 1.3V IR(A)： 5μA trr(ns)： 500ns Package： SOD-123FL
Diodo raddrizzatore a recupero rapido US1DW SOD-123FL
Marca: slkor， VRRM(V)： 200V IO(A)： 1A VF(V)： 1V IR(A)： 5μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123FL
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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