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Diodi a barriera Schottky B5817WS SOD-323
Diodi a barriera Schottky B5817WS SOD-323
Caratteristiche
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Per l'uso in inverter a bassa tensione e ad alta frequenza
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Applicazioni di ruota libera e protezione della polarità
Nome
Titolo
Descrizione
Scheda tecnica
Supporto
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
1N5817W Raddrizzatori a barriera Schottky SOD-123
Marca: slkor， IO： 1A VR(V)： 20V VF(V)： 0.45V IR： 1mA Package： SOD-123
1N5819W Raddrizzatori a barriera Schottky SOD-123
Marca: slkor， IO： 1A VR(V)： 40V VF(V)： 0.45V IR： 1mA Package： SOD-123
1N5819WT Diodi Schottky di potenza SOD-523
Marca: slkor， IO： 350mA VR(V)： 40V VF(V)： 0.27V@1mA IR： 5uA@30V Package： SOD-523
B0530WS Raddrizzatori a barriera Schottky SOD-323
Marca: slkor， IO： 0.5A VR(V)： 30V VF(V)： 0.36V@0.1A IR： 75uA@15V Package： SOD-323
B0540WS Raddrizzatori Schottky SOD-323
Marca: slkor， IO： 500mA VR(V)： 40V VF(V)： 620mV@1A IR： 20μA@40V Package： SOD-323
BAS40-04 Transistor epitassiale al silicio SOT-23
Marca: slkor， IO： 200mA VR(V)： 40V VF(V)： 1V@40mA IR： 200nA@30V Package： SOT-23
BAS521 Raddrizzatori a barriera Schottky SOD-523
Marca: slkor， IO： 300V VR(V)： 250mA VF(V)： 0.95V IR： 30nA Package： SOD-523
BAS70-06 Raddrizzatore a diodi Schottky SOT-23
Marca: slkor， IO： 100mA VR(V)： 70V VF(V)： 1V@15mA IR： 100nA@50V Package： SOT-23
BAS70W-05 Diodo Schottky SOT-323
Marca: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 70V Id(A)： 100mA P/N： N-channel
BAT54CT Schottky rettificante SOT-23
Marca: slkor， IO： 200mA VR(V)： 30V VF(V)： 1V@100mA IR： 2μA@25V Package： SOT-23
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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