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Driver di gate SL27531 lCs SOT-23-6
VDD(V): 4.5V
IO(A): 5A
IDDq(A): 50μA
TA(℃): 125℃
Pacchetto: SOT-23-6
I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione
I dispositivi driver gate low-side a canale singolo, ad alta velocità e a bassa tensione della serie SL27531 possono pilotare efficacemente MOSFET e IGBT. Grazie a un design che minimizza intrinsecamente la corrente di cortocircuito, i prodotti della serie SL27531 possono erogare e assorbire impulsi di corrente di picco elevati su carichi capacitivi, offrendo capacità di pilotaggio rail-to-rail e un ritardo di propagazione estremamente ridotto, tipicamente di 21 ns. L'SL27531 può fornire una corrente di picco di 5 A in erogazione e 5 A in assorbimento con un'alimentazione VDD di 18 V.
Caratteristiche
● Dispositivo gate-driver a basso costo che offre prestazioni superiori
● sostituzione delle soluzioni discrete NPN e PNP
● Corrente di picco di 5 A in uscita e corrente di picco di 5 A in uscita
● Ritardo di propagazione rapido (21 ns tipici)
● Tempo di salita rapido (9 ns tipici)
● Tempo di caduta rapido (tipico 8 ns)
● Gamma di alimentazione singola da 13.5 V a 30 V
● Blocco per sottotensione
● Soglia logica di ingresso compatibile con TTL e CMOS
● Design a doppio ingresso (scelta tra una configurazione con driver invertente o non invertente)
● L'uscita rimane bassa quando i pin di ingresso sono flottanti
● Intervallo di temperatura di funzionamento da -40℃ a 125℃
● SOT23-6, confezione
Applicazione
● Elettronica automobilistica
● Computer personali
● Elettrodomestici
● Prodotti per il controllo industriale, dispositivi medici elettronici
Nome
Titolo
Descrizione
Scheda tecnica
Supporto
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
Circuiti integrati driver di gate SL27714 SOP-14
Marca: slkor， VDD(V)： 20V IO(A)： 3.5A IDDq(mA)： 65μA TA(℃）： -40℃~125℃ Package： SOP-14
Driver di gate SL2004 lCs SOP-8
Marca: slkor， VDD(V)： 20V IO(A)： 270mA IDDq(mA)： 60μA TA(℃）： -40~125℃ Package： SOP-8
Driver di gate SL21814 lCs SOP-14
Marca: slkor， VDD(V)： 10V IO(A)： 2.4A IDDq(mA)： 30μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-14
Driver di gate SL27624MS lCs SOP-8
Marca: slkor， VDD(V)： 4.5V IO(A)： 3.6mV IDDq(mA)： 810μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
Driver di gate lato basso a canale singolo SL27511A Driver di gate lC SOT-23-6
Marca: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 190μA TA(℃）： 125℃ Package： SOT-23-6L
SL27517A Driver di gate a canale singolo Driver di gate lC SOT-23-5
Marca: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 183μA TA(℃）： 125℃ Package： SOT-23-5L
SL27523 Gate Driver lC SOP-8
Marca: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 180μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
SL27524 Gate Driver lC SOP-8
Marca: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 180μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
SL27525 Gate Driver lC SOP-8
Marca: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 180μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
SL4427 Dual Low Side Driver Gate Driver lC SOP-8
Marca: slkor， VDD(V)： 25V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 0.75mA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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