I nostri vantaggi
- Fornitura diretta dalla fabbrica con lotti di produzione stabili e costi competitivi.
- Controllo di qualità rigoroso e prestazioni elettriche affidabili in un ampio intervallo di temperature.
- Contenitore SOT-23 compatto per assemblaggio SMT ad alta densità
- Ampia gamma di valori di hFE per una progettazione flessibile dei circuiti.
- Conforme alla direttiva RoHS, adatto per applicazioni di consumo di massa e industriali.
Descrizione
SS30101‑Q è un transistor bipolare a giunzione (BJT) NPN in silicio epitassiale in un package SOT‑23 per montaggio superficiale. È caratterizzato da un'elevata capacità di corrente, una bassa tensione di saturazione e un'ampia area di funzionamento sicura, ottimizzata per circuiti di commutazione e amplificazione di media potenza. Con una corrente di collettore continua fino a 2 A e una VCEO di 40 V, offre prestazioni stabili nell'intervallo di temperatura da -55 °C a +150 °C. Marcatura: KEY. Piedinatura: 1–Base, 2–Emettitore, 3–Collettore.
CARATTERISTICHE
- Transistor NPN al silicio, coppia complementare disponibile
- Contenitore per montaggio superficiale SOT-23
- Elevato guadagno di corrente continua: hFE = 120–350 (P/Q graduato)
- Frequenza di transizione elevata: fT = 100 MHz tipica
- VCE(sat) e VBE(sat) bassi per un'elevata efficienza
- VCBO = 50V, VCEO = 40V, VEBO = 6V
- Corrente continua IC = 2A, Potenza di picco (PC) = 300mW
- Temperatura di conservazione: da -55 °C a +150 °C
Applicazioni
- Convertitori CC-CC e gestione dell'alimentazione
- Dispositivi elettronici portatili e dispositivi alimentati a batteria
- Audio di consumo e amplificazione del segnale
- Driver LED e controllo motore a bassa tensione
- Circuiti di controllo industriale e automobilistici
- moduli di commutazione ad alta velocità