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SEU0501P1 ESD保護デバイス DFN1006

SEU0501P1 は、コンパクトな DFN1006 パッケージで、敏感な電子部品を過渡電圧スパイクから保護するように設計された高度な ESD (静電放電) 保護デバイスです。動作電圧 (VRWM) が 5V のこのデバイスは、低電圧アプリケーション向けに最適化されています。最小ブレークダウン電圧 (VBR) が 9.5V であるため、ESD イベント中に堅牢な保護が保証されます。0.1μA の超低逆漏れ電流 (IR) により、電力損失が最小限に抑えられ、回路効率が向上します。11V のクランプ電圧 (VC) により、高エネルギー サージに対する強力な保護が提供され、0.45pF の非常に低い接合容量 (CJ) により、高速アプリケーションで信号の整合性が維持されます。SEU0501P1 は、スペースが限られているが高性能が重要な環境向けに設計されています。

我々の利点

中国の製造プロセスは何年にもわたって反復され、その結果、成熟した信頼性の高い技術が生まれました。多くの国際企業は中国での生産アウトソーシングを選択しています。中国の電子部品メーカーとして、当社の製品は、テスト検証を必要とせずに、アプリケーションの 99% において主要な国際ブランドの製品を完全に置き換えることができます。当社の製品は、高い品質の一貫性、リーズナブルな価格、豊富な在庫、柔軟な供給、短いリードタイム、そして専門的なアフターサービスを誇ります。 

詳細説明

SEU0501P1 は、コンパクトな DFN1006 パッケージで、敏感な電子部品を過渡電圧スパイクから保護するように設計された高度な ESD (静電放電) 保護デバイスです。動作電圧 (VRWM) が 5V のこのデバイスは、低電圧アプリケーション向けに最適化されています。最小ブレークダウン電圧 (VBR) が 9.5V であるため、ESD イベント中に堅牢な保護が保証されます。0.1μA の超低逆漏れ電流 (IR) により、電力損失が最小限に抑えられ、回路効率が向上します。11V のクランプ電圧 (VC) により、高エネルギー サージに対する強力な保護が提供され、0.45pF の非常に低い接合容量 (CJ) により、高速アプリケーションで信号の整合性が維持されます。SEU0501P1 は、スペースが限られているが高性能が重要な環境向けに設計されています。

特長

● 静電容量:0.35pF(標準)

● 逆動作電圧: 5V

● IEC 61000-4-2(ESD空気):±20KV

   IEC 61000-4-2(ESD接触): ±20KV

   IEC 61000-4-5(雷 8/20μs):4.5A


用途

● スマートフォン・タブレットPC

● テレビとセットトップボックス

● ウェアラブルデバイス

● 携帯情報端末




SEU0501P1 DFN1006_0.jpg

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