Ligne d'assistance
Le SEU0501P1 est un dispositif avancé de protection ESD (décharge électrostatique) conçu pour protéger les composants électroniques sensibles des pics de tension transitoires dans un boîtier DFN1006 compact. Avec une tension de fonctionnement (VRWM) de 5 V, cet appareil est optimisé pour les applications basse tension. Il présente une tension de claquage minimale (VBR) de 9.5 V, garantissant une protection robuste lors des événements ESD. Le courant de fuite inverse (IR) ultra faible de 0.1 μA garantit une perte de puissance minimale et améliore l'efficacité du circuit. La tension de serrage (VC) de 11 V offre une forte protection contre les surtensions à haute énergie, tandis que la capacité de jonction (CJ) exceptionnellement faible de 0.45 pF maintient l'intégrité du signal dans les applications à grande vitesse. Le SEU0501P1 est conçu pour les environnements où l'espace est limité mais où des performances élevées sont essentielles.
Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Description
Le SEU0501P1 est un dispositif avancé de protection ESD (décharge électrostatique) conçu pour protéger les composants électroniques sensibles des pics de tension transitoires dans un boîtier DFN1006 compact. Avec une tension de fonctionnement (VRWM) de 5 V, cet appareil est optimisé pour les applications basse tension. Il présente une tension de claquage minimale (VBR) de 9.5 V, garantissant une protection robuste lors des événements ESD. Le courant de fuite inverse (IR) ultra faible de 0.1 μA garantit une perte de puissance minimale et améliore l'efficacité du circuit. La tension de serrage (VC) de 11 V offre une forte protection contre les surtensions à haute énergie, tandis que la capacité de jonction (CJ) exceptionnellement faible de 0.45 pF maintient l'intégrité du signal dans les applications à grande vitesse. Le SEU0501P1 est conçu pour les environnements où l'espace est limité mais où des performances élevées sont essentielles.
Fonctionnalité
● Capacité : 0.35pF (typ.)
● Tension de fonctionnement inversée : 5 V
● CEI 61000-4-2 (DES dans l'air) : ± 20 kV
CEI 61000-4-2 (contact DES) : ± 20 kV
CEI 61000-4-5 (foudre 8/20 μs) : 4.5 A
Application
● Smartphone et tablette PC
● TV et décodeur
● Appareils portables
● PDA
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.