Wolfspeed는 고성능 무선 주파수 전력 솔루션을 강화하기 위해 고급 X-밴드 레이더 장치를 출시했습니다.

크리어 | Wolfspeed, 고급 X-밴드 레이더 장치 출시

고성능 RF 전력 솔루션 구현

4개의 새로운 GaN-on-SiC MMIC 장치는 설계자가 RF 시스템의 크기, 무게 및 전력을 개선하는 데 도움이 됩니다.

실리콘 카바이드(SiC) 기술의 글로벌 리더인 Cree l Wolfspeed는 최근 4개의 새로운 다극 GaN-on-SiC 모놀리식 마이크로파 집적 회로(MMIC) 장치를 출시하여 무선 주파수(RF) 솔루션의 범위를 더욱 확장했습니다. 해양 문제, 기상 모니터링 및 최신 UAV 시스템 레이더를 포함한 펄스 및 연속파 X-밴드 위상 배열 애플리케이션에 적합합니다.

Wolfspeed GaN-on-SiC 기술을 사용하는 이 새로운 장치는 소형 및 업계 표준 패키지에서 높은 전력 추가 효율(PAE)을 제공할 수 있으므로 설계자는 더 적은 전력 소비로 더 작은 시스템에서 성능을 극대화할 수 있습니다.

Cree 파운드리 및 항공우주 사업 담당 전무 Jim Milligan | Wolfspeed는 "Cree | Wolfspeed의 새로운 X-밴드 장치는 설계 엔지니어에게 다양한 옵션을 제공하며 능동 위상 배열 레이더 애플리케이션에 필요한 것과 같이 까다로운 크기의 고효율 발사 솔루션이 필요한 시스템에 적합합니다. Wolfspeed GaN-on-SiC 솔루션을 채택하면 주요 RF 시스템에 필요한 더 작은 크기, 더 가벼운 무게, 더 높은 전력(SWaP) 및 성능이 새로운 차원에 도달할 수 있습니다. "

당사의 풍부한 X-밴드 제품 포트폴리오는 다중 레벨 이득을 지원하는 솔루션을 제공하여 전송 체인에 필요한 장치 수를 줄입니다. 여기에는 시스템 성능을 최적화하기 위한 다양한 전력 수준이 포함되어 있으며 시스템 아키텍처를 최적화하기 위한 여러 플랫폼을 제공합니다. 자세한 제품 정보와 성능 데이터는 표 1을 참조하세요.

새로운 앰프는 계속해서 제품 포트폴리오를 확장하고 있습니다. 그들의 뛰어난 성능은 Cree | Wolfspeed의 수십 년 간의 GaN-on-SiC 전문 지식은 항공우주 및 기타 시장을 지원하는 데 도움이 됩니다. 동시에 이는 광범위한 RF 애플리케이션을 위한 혁신적이고 업계 최고의 질화갈륨(GaN) 솔루션을 개발하려는 끊임없는 추구를 반영합니다. 

표 1

참고: 위에 나열된 모든 장치에는 3A001.b.2의 ECCN이 있습니다.

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