고주파 삼극관은 일반적으로 VHF, UHF, CATV, 무선 원격 제어 및 무선 주파수 모듈과 같은 고주파 광대역 저잡음 증폭기에 사용됩니다. 이러한 애플리케이션의 대부분은 저전압, 소신호, 소전류 및 저잡음 조건에서 사용됩니다. 와트, 콜렉터 전류 최대 500mA.

사용 과정에서의 선택 원칙은 다음과 같습니다.

(1) 삼극관 주변 온도가 30℃보다 높을 때 전력 손실 Pcm은 60~80% 감소해야 합니다.

(2) 삼극관은 삼극관이 안정적이고 정상적으로 작동할 수 있도록 가능한 한 발열체에서 멀리 떨어져 있어야 합니다.

(3) 삼극관의 매개변수 중에는 iceo, ubeo, β 값과 같이 온도에 쉽게 영향을 받는 매개변수가 있습니다. iceo와 ubeo가 온도에 따라 변하는 경우는 다음과 같습니다.

①온도가 6℃ 올라갈 때마다 실리콘 튜브의 얼음은 두 배로 늘어납니다.

②온도가 10℃ 올라갈 때마다 게르마늄 튜브의 얼음은 두 배로 늘어납니다.

③온도에 따른 실리콘 튜브 우버의 변화는 약 1·7mv/℃이다.

(4) 3V, 5V의 저전압에 사용하는 경우 항복전압이 너무 크지 않아야 한다. 항복 전압이 너무 크면(15V보다 높음) 저전압에서의 선형성이 좋지 않지만 사용에 영향을 미칩니다.

(5) 입력 신호가 약한 경우 2차 증폭기에는 삽입 이득이 작은 3356SC591을 사용하고, 2차 증폭기에는 이득이 큰 BFQ3357 또는 XNUMXSCXNUMX을 사용하는 것이 좋습니다.

(6) 선택한 고주파 3극관의 특성 주파수 fT는 사용 중 삽입 잡음을 줄이고 이득을 높이기 위해 실제 사용 주파수의 XNUMX~XNUMX배(최소 XNUMX배 이상)가 되어야 합니다.

(7) 고주파나 마이크로파 회로에 사용되는 삼극관의 경우 기생 효과를 줄이기 위해 리드선은 가능한 한 짧아야 하며 표면 실장 패키지를 사용하는 것이 가장 좋습니다.

(9) 파워 트랜지스터의 XNUMX차 항복을 방지하기 위해서는 과도한 리액턴스 성분을 갖는 부하를 최대한 피해야 한다.

(10) 전체 기계에 필요한 증폭 매개변수가 충족될 수 있다는 전제하에 적절한 삽입 이득과 DC 증폭 계수 hfe를 가진 트랜지스터를 선택하여 자기 여기를 방지합니다. 일반적으로 XNUMX차 증폭에는 작은 삽입 이득이 필요하며 DC 증폭 계수 hfe는 더 크게 선택해야 하며, XNUMX차 증폭에는 더 큰 삽입 이득이 필요하며 DC 증폭 계수 hfe가 너무 커서는 안 됩니다.

(11) 고주파 삼극관을 회로에 연결할 때는 베이스를 먼저 연결해야 합니다. 컬렉터와 이미터에 전압이 걸려 있는 동안에는 베이스 회로를 개방하지 마십시오.

(12) 고주파 삼극관에는 다양한 유형이 있으므로 특정 회로의 요구 사항에 따라 삼극관 유형을 결정한 다음 삼극관의 주요 매개변수에 따라 선택해야 합니다.