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제품
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SL2177FXS8 RF 전력 증폭기 SOP-8
SL2177F(듀얼) 및 SL4177F(쿼드)는 높은 입력 임피던스와 공급 레일에서 200mV 이내의 출력 스윙 기능을 갖춘 저오프셋 연산 증폭기입니다. 입력 공통 모드 전압 범위는 음의 공급 레일까지 확장됩니다. 오프셋 전압 교정을 위해 트림 기술을 활용하여 매우 낮은 오프셋 전압(일반적인 값 50μV)을 제공합니다.
우리의 장점
중국 제조 공정은 수년간의 반복을 거쳐 성숙하고 신뢰할 수 있는 기술을 탄생시켰습니다. 많은 국제 기업들이 중국에서 생산 아웃소싱을 선택합니다. 중국의 전자 부품 제조업체로서 당사 제품은 테스트 검증 없이 99%의 응용 분야에서 주요 국제 브랜드의 제품을 완전히 대체할 수 있습니다. 당사의 제품은 품질의 높은 일관성, 합리적인 가격, 충분한 재고, 유연한 공급, 짧은 리드 타임 및 전문적인 애프터 서비스를 자랑합니다.
기술설명
SL2177F(듀얼) 및 SL4177F(쿼드)는 높은 입력 임피던스와 공급 레일에서 200mV 이내의 출력 스윙 기능을 갖춘 저오프셋 연산 증폭기입니다. 입력 공통 모드 전압 범위는 음의 공급 레일까지 확장됩니다. 오프셋 전압 교정을 위해 트림 기술을 활용하여 매우 낮은 오프셋 전압(일반적인 값 50μV)을 제공합니다.
기능
● 낮은 오프셋 전압 : 50μV (일반)
● 제로 드리프트: 0.5μV/℃
● 높은 DC 정밀도
● 오픈 루프 이득(AVOL): 120dB
● 전원 공급 제거율(PSRR): 110dB
● 공통모드 제거비(CMRR): 110dB
● 이득 대역폭 곱: 2MHz
● 정전류: 400μA(일반)
● 전원 공급 전압 범위: ±1.65V ~ ±18V
● Rail-to-rail 출력
● 입력은 음극 공급 레일까지 확장됩니다.
어플리케이션
● 브릿지 앰프
● 스트레인 게이지
● 센서 응용 분야
● 온도 측정
● 전자 저울
● 의료기기
● 저항 온도계
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이름
Title
기술설명
데이터시트
고객 지원
고객 지원
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장기적
장수명 프로그램은 고객 여러분께 당사 제품의 예상 주문 가능 시기에 대한 정보를 수시로 제공하기 위해 마련되었습니다. 이 프로그램은 경영진이 정기적으로 검토 및 업데이트합니다. 장수명 프로그램에 대한 자세한 내용은 여기에서 확인하세요.
SL2177FXS8 RF 전력 증폭기 SOP-8
브랜드: slkor， BVCEO(V)： 1.5V IC(mA)： 800μA fT(GHz)： 25MHz Package： SOT-23-5
SL2348XS8 RF 전력 증폭기 SOP-8
브랜드: slkor， BVCEO(V)： 5V IC(mA)： 85μA fT(GHz)： 1.1MHz Package： SOP-8
SL348XT5 RF 전력 증폭기 SOT-23-5
브랜드: slkor， BVCEO(V)： 5V IC(mA)： 85μA fT(GHz)： 1.1MHz Package： SOT-23-5
SL4348XS14 RF 전력 증폭기 SOP-14
브랜드: slkor， BVCEO(V)： 5V IC(mA)： 85μA fT(GHz)： 1.1MHz Package： SOP-8
SL721XT5 RF 전력 증폭기 SOT-23-5
브랜드: slkor， BVCEO(V)： 10V IC(mA)： 1μA fT(GHz)： 11MHz Package： SOT-23-5
SL8631XT5 RF 전력 증폭기 SOT-23-5
브랜드: slkor， BVCEO(V)： 5V IC(mA)： 480μA fT(GHz)： 6.5MHz Package： SOT-23-5
SL9062D RF 전력 증폭기 SOT-23-8L
브랜드: slkor， BVCEO(V)： 6.5V fT(GHz)： 400μA IP1dB(dBm)： SOT-23-8L
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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