dioda szybkiego odzyskiwania

1. Co to jest dioda szybkiego odzyskiwania

Diody szybkiego odzyskiwania są powszechnie stosowane w układach prostowniczych o wyższej częstotliwości i układach z wolnym biegiem. Zazwyczaj są stosowane w części wejściowej modułu mocy, gdzie częstotliwość nie jest wysoka, nie ma potrzeby stosowania diod szybkiego odzyskiwania, wystarczy zastosować zwykłe diody.

W porównaniu z diodą, gdy napięcie przyłożone do jej obu końców zmienia się z kierunku przewodzenia na kierunek wsteczny, czas reakcji jest zazwyczaj bardzo krótki, podczas gdy, gdy napięcie zmienia się z kierunku przewodzenia na kierunek wsteczny, czas ten jest stosunkowo długi, co odpowiada czasowi powrotu do stanu wstecznego. W przypadku prostowania sygnału o wysokiej częstotliwości itp., wymagany czas powrotu do stanu wstecznego musi być bardzo krótki. W tym przypadku stosuje się diodę o szybkiej reakcji (FRD), diodę o ultraszybkiej reakcji (SRD), diodę przełączającą, a najszybszą jest lampa Schottky'ego (jej zasada działania różni się od kilku wymienionych powyżej diod).

2. Charakterystyka diody szybkiego odzyskiwania

Dioda szybkiego powrotu (FRD) to dioda półprzewodnikowa o dobrych właściwościach przełączania i krótkim czasie powrotu do stanu wyjściowego. Jest stosowana głównie w zasilaczach impulsowych, modulatorach szerokości impulsu PWM, przetwornicach częstotliwości i innych układach elektronicznych. Stosowane są diody wolnobiegowe lub diody tłumiące.

Struktura wewnętrzna diody szybkiego odzyskiwania różni się od zwykłej diody ze złączem PN. Należy ona do diod ze złączem PIN, co oznacza, że obszar bazy I jest dodawany pomiędzy materiałem krzemowym typu P a materiałem krzemowym typu N, tworząc wafel krzemowy PIN. Ponieważ obszar bazy jest bardzo cienki, a ładunek powrotny jest niewielki, czas powrotu powrotnego diody szybkiego odzyskiwania jest krótki, spadek napięcia przewodzenia jest niski, a napięcie przebicia (napięcie wytrzymywane) jest wysokie.

3. Cechy obudowy diody szybkiego odzyskiwania

Zwykle dioda o szybkiej regeneracji o natężeniu 5–20 A jest umieszczona w obudowie z tworzywa sztucznego TO-220FP, dioda o szybkiej regeneracji o dużej mocy powyżej 20 A jest umieszczona w obudowie z tworzywa sztucznego TO-3P z metalowym radiatorem na górze, a dioda o szybkiej regeneracji o natężeniu poniżej 5 A jest umieszczona w obudowie z tworzywa sztucznego DO-41, a specyfikacje takie jak DO–15 lub DO–27.