Globalny przemysł półprzewodników w górędaty

1. Pod presją Stanów Zjednoczonych rząd Malezji ogłosił plany zaostrzenia regulacji dotyczących dystrybucji chipów Nvidia.

2. Japońska firma Renesas Electronics planuje zwolnić setki pracowników i przełożyć masową produkcję półprzewodników mocy, która pierwotnie miała się rozpocząć na początku tego roku.

3. Były dyrektor generalny firmy Intel, Kissinger, objął stanowisko prezesa wykonawczego i dyrektora ds. technologii w amerykańskiej firmie technologicznej Gl00.

4. Niemieccy naukowcy opracowali nowy typ memrystora z funkcją pamięci.

5. Rząd Indii nakazał Samsung India nałożenie na dyrektorów w tym kraju obowiązku zapłaty 601 milionów dolarów zaległych podatków i grzywien za domniemane unikanie płacenia podatków i składanie fałszywych zeznań.

6. Południowokoreański startup produkujący układy scalone Furiosa AI odrzucił ofertę przejęcia złożoną przez Meta za 800 milionów dolarów i zdecydował się na niezależny rozwój.

Aktualności z chińskiego przemysłu półprzewodnikowego

1. Projekt produkcji monokryształów z nadprzewodzącego krzemu wysokotemperaturowego oraz urządzeń do ich produkcji oficjalnie rozpoczął się w Strefie Rozwoju Ekonomicznego i Technologicznego Yinchuan. Całkowita wartość inwestycji wyniosła 10 miliardów RMB.

2. Chińska Akademia Nauk opracowała z powodzeniem technologię półprzewodnikowego źródła światła DUV.

3. Firma Slkor (www.slkoric.com) odnotowuje wzrost sprzedaży swoich cyfrowych czujników temperatury na podczerwień oraz cyfrowych układów scalonych termopil na podczerwień, wprowadzonych na rynek w 2024 r.

4. Firma Zhuhai Haoze Technology pomyślnie opracowała swój pierwszy układ zintegrowany ze sztuczną inteligencją, VVT300, przeznaczony do przechowywania i przetwarzania danych o wysokiej wydajności.

5. Firma BYD zaprezentowała swoją platformę motoryzacyjną o napięciu 1000 V, a także wprowadziła na rynek układ scalony SiC o napięciu 1500 V klasy motoryzacyjnej.

6. Zespołowi badawczemu z Jiufengshan Laboratory udało się po raz pierwszy na świecie przygotować 8-calowe materiały na bazie krzemu, azotku galu i polarnego azotku azotku, charakteryzujące się wysoką ruchliwością elektronów.