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Transistor planar epitaxial de silício NPN BC848C: Tensão suportável de 50 V, 0.2 A, SOT-23. Transistor de uso geral para comutação de sinais e amplificação de áudio.

1. Parâmetros Essenciais do Produto
Classificações máximas absolutas (Ta = 25℃)
- Tensão da Base do Coletor: 50V
- Tensão de ruptura coletor-emissor: 45V
- Tensão de ruptura emissor-base: 5V
- Faixa de temperatura de operação e armazenamento: -65℃ a +150℃
Características elétricas (Ta = 25℃)
- Ganho de corrente CC: mínimo 110, máximo 800
- Tipo de encapsulamento: encapsulamento de montagem em superfície SOT-23
- Definição dos pinos: Pino 1 para a base, pino 2 para o emissor, pino 3 para o coletor.
- Dispositivo complementar: transistores PNP das séries BC856 a BC858
2. Principais características do produto
- Trata-se de um transistor NPN de montagem em superfície, fabricado com processo epitaxial planar de silício. O encapsulamento compacto SOT-23 ocupa uma pequena área na placa de circuito impresso e se adapta a layouts de placas de circuito de alta densidade.
- Oferece uma ampla gama de ganho de corrente contínua. Pode ser usado tanto para amplificação de pequenos sinais quanto para operações de comutação de uso geral.
- Dispositivos PNP complementares correspondentes (séries BC856 a BC858) estão disponíveis para circuitos que requerem o emparelhamento NPN-PNP, como topologias push-pull.
- Suporta uma ampla faixa de temperatura para armazenamento e operação, de -65℃ a 150℃, proporcionando boa adaptabilidade ambiental.
- São fornecidas as dimensões padrão recomendadas para as ilhas de solda SOT-23 no layout da placa de circuito impresso, compatíveis com os processos convencionais de soldagem de montagem em superfície na produção em massa.
3. Principais campos de aplicação
- Circuitos de amplificação de sinais de áudio-frequência em diversos equipamentos.
- Circuitos de controle de comutação lógica de pequenos sinais de uso geral.
- Circuitos de processamento de sinal que requerem o emparelhamento de dispositivos NPN-PNP.
- Unidades de processamento de pequenos sinais em eletrônicos de consumo e placas de controle industrial.
4. Sugestões para Projeto de Engenharia
- A condição de teste de referência é uma temperatura ambiente de 25 °C. Os projetistas devem levar em consideração a deriva dos parâmetros causada pelo aumento da temperatura em projetos práticos. Evite a operação contínua próxima aos limites máximos absolutos de tensão e reserve uma margem de segurança suficiente.
- Adote as dimensões padrão recomendadas para os pads SOT-23, conforme especificado na folha de dados, para o layout da placa de circuito impresso, a fim de garantir um bom rendimento de soldagem. Verifique novamente a atribuição dos pinos para evitar conexões incorretas dos terminais de base, emissor e coletor.
- Ao projetar circuitos de amplificação de áudio, consulte as curvas de características estáticas e de largura de banda de ganho de corrente da folha de dados. Avalie o desempenho real da amplificação de acordo com a corrente de operação do coletor na prática.
- Para o projeto de circuitos push-pull complementares, selecione transistores PNP da série BC856-BC858 como componentes correspondentes.
- Mantenha a temperatura de armazenamento entre -65 °C e 150 °C. Controle a temperatura e a duração da soldagem para evitar danos térmicos ao dispositivo.
5. sumario de produtos
O BC848C é um transistor NPN de uso geral para pequenos sinais, encapsulado em SOT-23, que suporta tanto amplificação de sinal quanto funções de chaveamento. Possui tensão de ruptura suficiente, é compatível com dispositivos PNP complementares e apresenta boa resistência à temperatura. Este transistor de montagem em superfície, consolidado e amplamente utilizado, é adequado para aplicações de amplificação de áudio e chaveamento de pequenos sinais em eletrônicos de consumo e hardware de controle industrial. O desempenho estável do circuito pode ser alcançado reservando-se uma margem de segurança de tensão, verificando as conexões dos pads e pinos na placa de circuito impresso e realizando o ajuste do circuito com base nas curvas características do dispositivo.
Sobre Slkor:
A Slkor tem escritórios de pesquisa e desenvolvimento em Busan, Coreia do Sul, Pequim, China e Suzhou, China. A maior parte da fabricação, embalagem e testes de wafers são realizados na China. A empresa emprega e colabora com indivíduos e organizações em todo o mundo, com um laboratório para testes de desempenho e confiabilidade de produtos e um depósito central localizado em sua sede em Shenzhen. A Slkor entrou com mais de cem patentes de invenção, oferece mais de 2,000 modelos de produtos e atende a mais de dez mil clientes globalmente. Seus produtos são exportados para países e regiões, incluindo Europa, Américas, Sudeste Asiático e Oriente Médio, tornando-a uma das empresas de semicondutores de rápido crescimento nos últimos anos. Com sistemas de gerenciamento bem estabelecidos e fluxos de trabalho simplificados, a Slkor aumentou rapidamente o reconhecimento da marca e a reputação de seus "SLKOR"marca através de sua excelente qualidade e serviços padronizados. Sua gama de produtos inclui três séries principais: diodos, transistores e dispositivos de potência, com lançamentos recentes de novos produtos, como elementos Hall e dispositivos analógicos, expandindo sua presença em sensores, microcontroladores Risc-v e outras categorias de produtos.
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