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Dispositivos de proteção ESD NUP2105LT1G SOT-23
O NUP2105L foi projetado para proteger o transceptor CAN em redes de alta velocidade e tolerantes a falhas contra ESD e outros eventos de tensão transitória prejudiciais. Este dispositivo fornece proteção bidirecional para cada linha de dados com um único pacote SOT-23 compacto, oferecendo ao projetista do sistema uma opção de baixo custo para melhorar a confiabilidade do sistema e atender aos rigorosos requisitos de EMI.
Protetor de barramento CAN de linha dupla
Nossa aventura
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Descrição
O NUP2105L foi projetado para proteger o transceptor CAN em redes de alta velocidade e tolerantes a falhas contra ESD e outros eventos de tensão transitória prejudiciais. Este dispositivo fornece proteção bidirecional para cada linha de dados com um único pacote SOT-23 compacto, oferecendo ao projetista do sistema uma opção de baixo custo para melhorar a confiabilidade do sistema e atender aos rigorosos requisitos de EMI.
Diferenciais
● IEC61000-4-2 (ESD) ±15kV (ar), ±8kV (contato)
● IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ηs)
● IEC61000-4-5 (Iluminação) 8.0A (8/20μs)
● Potência de pulso de pico de 350 Watts por (tp=8/20μs)
● Tensões de trabalho: 24V
● Baixa tensão de fixação
● Baixa corrente de fuga
Aplicações
● Redes de Controle Industrial
●Sistemas de distribuição inteligentes
● Redes Automotivas
●CAN de baixa e alta velocidade
●CAN tolerante a falhas
Name
Title
Description
Datasheet
Support
Suporte
Se precisar de suporte técnico/de design, informe-nos preenchendo o Formulário de Resposta. Entraremos em contato o mais breve possível.
Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
Dispositivos de proteção ESD GBLC03C SOD-323
Brand: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 36V CJ(pF)： 30pF Package： SOT-23
Diodo de proteção ESD SD15C SOD-323
Brand: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 36V CJ(pF)： 30pF Package： SOT-23
Diodo de proteção ESD SLSOT05C SOT-23
Brand: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 36V CJ(pF)： 30pF Package： SOT-23
Dispositivos de proteção ESD GBLC12CI SOD-323
Brand: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 36V CJ(pF)： 30pF Package： SOT-23
Diodo de proteção ESD SD08C SOD-323
Brand: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 36V CJ(pF)： 30pF Package： SOT-23
Dispositivos de proteção ESD SD12C SOD-323
Brand: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 36V CJ(pF)： 30pF Package： SOT-23
Dispositivos de proteção ESD GBLC05CI SOD-323
Brand: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 36V CJ(pF)： 30pF Package： SOT-23
Dispositivos de proteção ESD SLCESDB5V0D5 SOD-523
Brand: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 36V CJ(pF)： 30pF Package： SOT-23
SLESD5Z24 Diodo Supressores ESD SOD-523
Brand: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 36V CJ(pF)： 30pF Package： SOT-23
Dispositivos de proteção ESD SLESD5Z3V3 SOD-523
Brand: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 36V CJ(pF)： 30pF Package： SOT-23
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SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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