SIC và IGBT dựa trên silicon có hiệu suất khác nhau bao nhiêu?

Gần đây, điện tử công suất rất phổ biến. Ở đây, tôi sẽ sắp xếp một số quan điểm của một số tài liệu.

Năm 2022 là một năm rất quan trọng đối với việc sử dụng cacbua silic ở Trung Quốc, chủ yếu là do hệ thống 800V hiện tại đã mang lại nhiều thay đổi.Sự khác biệt từ các cấp độ khác nhau là gì? Tôi muốn thảo luận với bạn về các vật liệu chải kỹ.

Trước hết, hãy nói về IGBT. Thực tế, trong lĩnh vực xe điện, chúng tôi đặc biệt muốn cảm ơn Infineon. Trước khi các công ty ô tô châu Âu tham gia, Nissan, Honda và Toyota đều đã phát triển biến tần dựa trên công nghệ riêng của họ, và lấy công nghệ làm mát và lặp lại của IGBT làm cốt lõi; Trước khi Tesla giới thiệu SIC, họ cũng sử dụng IGBT ống đơn cho hệ thống truyền động công suất cao. Sau khi Infineon sản xuất IGBT với gói tiêu chuẩn 6in1, độ khó của việc phát triển biến tần đã giảm đáng kể.

▲Hình 1. Một số ứng dụng của 1.IGBT

Trong thiết kế biến tần công suất cao, các kỹ sư của Tesla đã áp dụng kết nối song song ống đơn rời rạc, công nghệ làm mát và tản nhiệt ống đơn tích hợp cũng như công nghệ bus nhiều lớp điện, giúp tăng công suất của thiết bị này, nhưng quá trình lắp ráp đã bị chậm lại. khá phức tạp.

▲Hình 2. Thiết kế IGBT ống đơn Tesla

Vì vậy, trong quá trình lặp, Tesla là công ty đầu tiên trực tiếp biến đổi thành SiC trong các sản phẩm 400V. Theo tham chiếu dữ liệu do Cree đưa ra, như trong hình sau:

Công suất và hiệu suất:

▲Hình 3. nếu SiC và IGBT được so sánh theo công suất và mật độ dòng điện

Tất nhiên, đánh giá từ hiệu quả của chính biến tần, điểm chuẩn chủ yếu dựa trên các thông số kỹ thuật:

▲1. So sánh thông số động cơ, biến tần và xe

Nghĩa là, hiệu suất mà 400VSiC mang lại sẽ được nhiều xe tiếp theo đuổi kịp, và một chiếc xe như Lucid Air cũng có thể đạt được Mile/kWh cao hơn. Tức là, hiệu suất do 400VSiC mang lại sẽ được nhiều xe bắt kịp các phương tiện tiếp theo và một chiếc ô tô như Lucid Air cũng có thể đạt được Dặm/kWh cao hơn.

▲ Hình 4. Tổng quan về hiệu quả sử dụng năng lượng của toàn xe theo thời gian

Hình dưới đây cho thấy các đặc tính động. So với hiệu suất biến tần trong UDDS và HWFE, vẫn có sự khác biệt động từ đây, dao động từ 4% đến 7%.

Lưu ý: Dữ liệu này được FEV thực hiện và dữ liệu trừu tượng được sử dụng để so sánh.

▲Hình 5. Sự khác biệt về hiệu suất giữa 5.SiC và IGBT nền silicon

Điều đó có nghĩa là,Mức độ mô phỏng có thể được so sánh với thử nghiệm thực tế và thực sự có sự khác biệt lớn về hiệu quả..

▲Hình 6. So sánh 6.SiC Ford

Theo nghĩa này, 2% ở mức sạc, 6% ở mức chạy và chênh lệch hiệu suất giữa hai hệ thống là 8% - điều này có nghĩa là đối với cùng một loại pin lớn, đặc biệt là pin sạc nhanh 100-120kWh , theo hiệu suất 8%, thu nhập ròng của pin có thể được tính ở mức 8-10kWh; Theo 0.8 nhân dân tệ/Wh, giá trị tương ứng là khoảng 6,400-8,000 nhân dân tệ.

Về lâu dài, không chỉ lợi ích về chi phí mà sự hỗ trợ của SiC là cần thiết để pin dung lượng lớn đạt được độ bền cao và hiệu quả cao.

▲Hình 7. Sự khác biệt về hiệu suất của cacbua silic

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Bài viết này được sao chép từ "Thiết kế điện tử ô tô". Bài viết này chỉ thể hiện quan điểm cá nhân của tác giả, không thể hiện quan điểm của Sacco Micro và ngành. Nó chỉ dành cho việc in lại và chia sẻ để hỗ trợ việc bảo vệ quyền sở hữu trí tuệ. Vui lòng ghi rõ nguồn và tác giả khi tái bản. Nếu có vi phạm vui lòng liên hệ với chúng tôi để xóa.

Điện thoại công ty: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
Email: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 Quản lý Qiu
Địa chỉ: Phòng 809, Khu C, Tòa nhà Công nghệ Zhantao, Số 1079 Đại lộ Minzhi, Quận Mới Long Hoa, Thâm Quyến