Trong thiết kế mạch như thiết bị điện tử tiêu dùng cầm tay, bảo vệ pin lithium, công tắc tải nhỏ và quản lý nguồn điện công suất thấp, tổn hao dẫn điện, tốc độ chuyển mạch, khả năng tương thích điều khiển và kích thước đóng gói của MOSFET công suất thấp ảnh hưởng trực tiếp đến tuổi thọ pin và mức độ thu nhỏ của thiết bị đầu cuối. Slkor FDV305N là một MOSFET công suất kênh N (TrenchFET) trong gói gắn bề mặt SOT-23 thu nhỏ. Nó có điện áp đánh thủng nguồn-cống là 20V và dòng điện cống liên tục là 0.9A, với điện trở bật thấp, điện tích cổng thấp và khả năng tương thích điều khiển điện áp thấp. Phù hợp với nhiều kịch bản điều khiển điện áp thấp, công suất thấp khác nhau, nó đóng vai trò là giải pháp chuyển mạch nguồn tiết kiệm chi phí cho thiết bị điện tử cầm tay và hệ thống nguồn nhỏ.

1. Các thông số cốt lõi của sản phẩm

• Loại thiết bị: MOSFET công suất kênh N dạng rãnh (TrenchFET)
• Điện áp đánh thủng giữa cực thoát và cực nguồn (VDS): 20V
• Điện áp cổng-nguồn (VGS): ±12V
• Điện trở bật (RDS(on)): tối đa 220mΩ @ VGS=4.5V, ID=0.9A; tối đa 300mΩ @ VGS=2.5V, ID=0.7A
• Dòng điện thoát liên tục (ID, TC=25℃): 0.9A
• Dòng điện thoát xung (IDM): 2.0A
• Công suất tiêu tán tối đa (PD, TC=25℃): 0.35W
• Điện áp ngưỡng cổng (VGS(th)): 0.6V ~ 1.5V
• Tổng điện tích cổng (Qg): 0.8nC điển hình
• Nhiệt độ hoạt động tối đa của mối nối (TJ): 150℃
• Phạm vi nhiệt độ bảo quản: -50℃ ~ 155℃
• Loại đóng gói: SOT-23 gắn bề mặt

2. Ưu điểm cốt lõi của sản phẩm

2.1 Kiến trúc TrenchFET với tổn hao dẫn điện thấp

Được chế tạo bằng công nghệ xử lý TrenchFET, thiết bị này mang lại hiệu suất dẫn điện tối ưu. Với điện trở bật điển hình chỉ 170mΩ ở điện áp điều khiển cổng 4.5V, nó giúp giảm thiểu tổn thất điện năng ở trạng thái bật, cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng của mạch và phù hợp với các kịch bản hoạt động điện áp thấp, dòng điện thấp.

2.2 Điện tích cổng thấp cho phản hồi chuyển mạch nhanh

Thiết bị này có điện tích cổng tổng điển hình là 0.8nC, kết hợp với độ trễ chuyển mạch và thời gian tăng/giảm ở thang đo nano giây. Điều này cho phép tốc độ chuyển mạch nhanh và tổn hao động thấp, hỗ trợ hoạt động chuyển mạch tần số cao và đáp ứng các yêu cầu chuyển mạch nhanh của các ứng dụng quản lý nguồn nhỏ và chuyển mạch tải.

2.3 Khả năng tương thích của bộ truyền động điện áp thấp với nhiều tín hiệu điều khiển

Với điện áp ngưỡng cổng từ 0.6V đến 1.5V, thiết bị có thể được bật hoàn toàn ở điện áp cổng thấp tới 2.5V. Nó tương thích với nhiều mức điều khiển điện áp thấp khác nhau bao gồm 1.8V, 2.5V, 3.3V và 4.5V, và có thể được điều khiển trực tiếp bởi các chip chủ điện áp thấp như MCU và PMIC, thích ứng với kiến ​​trúc hệ thống điện áp thấp của các thiết bị di động.

2.4 Gói SMD thu nhỏ để thu nhỏ sản phẩm

Gói SOT-23 siêu nhỏ gọn chiếm diện tích tối thiểu trên PCB và hỗ trợ lắp ráp SMT tự động tiêu chuẩn với chất lượng hàn nhất quán. Nó phù hợp cho các thiết kế mạch nhỏ gọn, mật độ cao và đáp ứng các yêu cầu thu nhỏ của các sản phẩm điện tử di động.

2.5 Độ rò rỉ thấp giúp giảm công suất tiêu thụ ở chế độ chờ

Cả dòng điện thoát cổng bằng không và dòng rò cổng đều được giữ ở mức thấp, giúp giảm mức tiêu thụ điện năng tĩnh trong chế độ chờ của mạch. Điều này rất lý tưởng cho các thiết bị di động chạy bằng pin và giúp kéo dài tuổi thọ pin của sản phẩm.

3. Các lĩnh vực ứng dụng chính

Với ưu điểm về điện áp thấp, tổn hao thấp và kích thước nhỏ gọn, FDV305N được sử dụng rộng rãi trong nhiều kịch bản điều khiển điện áp thấp, công suất thấp khác nhau: mạch bảo vệ pin lithium, công tắc tải cho thiết bị di động, công tắc nguồn USB, mô-đun quản lý nguồn nhỏ, thiết bị điện tử đeo được, mạch điều khiển công suất thấp trong thiết bị điện tử tiêu dùng và mạch chuyển mạch nguồn trong hệ thống chạy bằng pin.

4. Hướng dẫn thiết kế kỹ thuật

Ghép nối điện áp điều khiển : Nên sử dụng điện áp điều khiển cổng 4.5V để đạt hiệu suất dẫn tối ưu. Khi sử dụng điện áp cổng 2.5V hoặc thấp hơn, cần chú ý đến tổn thất tăng lên do điện trở bật cao hơn và kiểm tra xem khả năng chịu tải dòng điện có đáp ứng yêu cầu thiết kế hay không. Giảm tải theo nhiệt độ : Thực hiện thiết kế giảm tải dòng điện dựa trên nhiệt độ môi trường, điều kiện tản nhiệt và chu kỳ làm việc trong các ứng dụng thực tế. Đảm bảo nhiệt độ mối nối của thiết bị không vượt quá 150℃ để đảm bảo độ tin cậy hoạt động lâu dài. Bố trí PCB : Nên mở rộng đường dẫn nguồn một cách thích hợp để tối ưu hóa đường dẫn tản nhiệt của thiết bị. Giữ các đường dẫn điều khiển cổng ngắn để giảm ảnh hưởng của các thông số ký sinh đến tốc độ chuyển mạch. Bảo vệ ESD : MOSFET là thiết bị nhạy cảm với tĩnh điện. Cần thực hiện các quy trình bảo vệ ESD tiêu chuẩn trong quá trình sản xuất, lưu trữ và lắp ráp để tránh sự cố tĩnh điện ở cổng. Ứng dụng diode thân : Diode thân nguồn-thoát tích hợp có thể được sử dụng cho các trường hợp hoạt động tự do dòng điện thấp. Trong trường hợp dòng điện ngược lớn, hãy kiểm tra các thông số diode theo điều kiện làm việc thực tế.

5. Tóm tắt sản phẩm

MOSFET kênh N Slkor FDV305N được thiết kế cho các ứng dụng điện áp thấp, công suất thấp, được đặt trong gói SOT-23 thu nhỏ. Nó có khả năng chịu điện áp 20V, khả năng chịu dòng 0.9A, điện trở bật thấp, điện tích cổng thấp và tương thích với mạch điều khiển điện áp thấp. Với các thông số cân bằng và kích thước nhỏ gọn, nó được ứng dụng rộng rãi trong các lĩnh vực như bảo vệ pin, chuyển mạch tải và quản lý nguồn cho các thiết bị di động, là lựa chọn thiết bị nguồn trong nước tiết kiệm chi phí cho các mạch điều khiển điện áp thấp, công suất thấp.

Giới thiệu về Slkor
Theo Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.com(Công ty) đã long trọng khai trương cửa hàng nhượng quyền thứ ba tại Huaqiangbei vào ngày 14 tháng 8 năm 2026. Cửa hàng chủ yếu cung cấp các linh kiện điện tử như MOSFET, IC quản lý nguồn, phần tử Hall, optocoupler, IGBT, linh kiện silicon carbide SiC, thiết bị AC/DC, diode TVS, diode Schottky, thyristor và các linh kiện khác.



FDV305N Đến Trang Sản Phẩm