В схемах таких устройств, как портативная бытовая электроника, защита литиевых батарей, маломощные переключатели и системы управления питанием с низким энергопотреблением, потери проводимости, скорость переключения, совместимость с драйверами и габариты маломощных MOSFET-транзисторов напрямую влияют на срок службы батареи и уровень миниатюризации конечного оборудования. Slkor FDV305N — это N-канальный силовой MOSFET с траншейной структурой (TrenchFET) в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Он имеет напряжение пробоя сток-исток 20 В и непрерывный ток стока 0.9 А, низкое сопротивление в открытом состоянии, низкий заряд затвора и совместимость с низковольтными драйверами. Подходит для различных сценариев управления с низким напряжением и низким энергопотреблением, является экономичным решением для силовых переключателей в портативной электронике и маломощных системах.

1. Основные параметры продукта

• Тип устройства: N-канальный силовой MOSFET Trench (TrenchFET)
• Напряжение пробоя сток-исток (VDS): 20 В
• Напряжение затвор-исток (VGS): ±12 В
• Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 220 мОм макс. при VGS=4.5 В, ID=0.9 А; 300 мОм макс. при VGS=2.5 В, ID=0.7 А
• Постоянный ток стока (ID, TC=25℃): 0.9 А
• Импульсный ток стока (IDM): 2.0 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (ПД, TC=25℃): 0.35 Вт
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 0.6 В ~ 1.5 В
• Общий заряд затвора (Qg): типичное значение 0.8 нКл.
• Максимальная рабочая температура перехода (TJ): 150℃
• Диапазон температур хранения: от -50℃ до 155℃
• Корпус: SOT-23 для поверхностного монтажа

2. Основные преимущества продукта

2.1 Архитектура TrenchFET с низкими потерями проводимости

Созданное с использованием технологического процесса TrenchFET, устройство обеспечивает оптимизированные характеристики проводимости. Типичное сопротивление в открытом состоянии составляет всего 170 мОм при напряжении управления затвором 4.5 В, что эффективно снижает потери мощности в открытом состоянии, повышает эффективность преобразования энергии в цепи и подходит для работы в условиях низкого напряжения и низкого тока.

2.2 Низкий заряд затвора для быстрого переключения

Устройство имеет типичный суммарный заряд затвора 0.8 нКл в сочетании с задержкой переключения и временем нарастания/спада в наносекундном масштабе. Это обеспечивает высокую скорость переключения и низкие динамические потери, поддерживает высокочастотное переключение и отвечает требованиям быстрого переключения в приложениях управления маломощными устройствами и коммутаторах нагрузки.

2.3 Совместимость с низковольтными приводами для множества управляющих сигналов

Благодаря пороговому напряжению затвора в диапазоне от 0.6 В до 1.5 В, устройство может быть полностью включено при напряжении затвора всего 2.5 В. Оно совместимо с различными уровнями управления низким напряжением, включая 1.8 В, 2.5 В, 3.3 В и 4.5 В, и может напрямую управляться низковольтными микросхемами-мастерами, такими как микроконтроллеры и PMIC, адаптируясь к низковольтной системной архитектуре портативных устройств.

2.4 Миниатюрный SMD-корпус для миниатюризации продукции

Сверхкомпактный корпус SOT-23 для поверхностного монтажа занимает минимальное пространство на печатной плате и поддерживает стандартную автоматизированную сборку SMT с гарантированным качеством пайки. Он подходит для компактных схем высокой плотности и соответствует требованиям миниатюризации портативных электронных устройств.

2.5 Низкий уровень утечки для снижения энергопотребления в режиме ожидания

Как нулевой ток стока затвора, так и ток утечки затвора поддерживаются на низком уровне, что снижает статическое энергопотребление в режиме ожидания схемы. Это идеально подходит для портативных устройств с батарейным питанием и помогает продлить срок службы батареи.

3 Основные области применения

Благодаря преимуществам низковольтного управления, низким потерям и компактным размерам, микросхема FDV305N широко используется в различных сценариях управления низким напряжением и низким энергопотреблением: платы защиты литиевых батарей, переключатели нагрузки для портативных устройств, USB-переключатели питания, малогабаритные модули управления питанием, носимая электроника, схемы управления низким энергопотреблением в бытовой электронике и схемы переключения питания в системах с батарейным питанием.

4. Руководящие принципы инженерного проектирования

Согласование управляющего напряжения : Для оптимальной проводимости рекомендуется напряжение управления затвором 4.5 В. При использовании напряжения затвора 2.5 В или ниже следует учитывать увеличение потерь, вызванное более высоким сопротивлением в открытом состоянии, и проверить, соответствует ли пропускная способность по току проектным требованиям. Снижение номинального тока : При практическом применении следует учитывать снижение номинального тока с учетом температуры окружающей среды, условий теплоотвода и коэффициента заполнения. Необходимо обеспечить, чтобы температура перехода устройства не превышала 150℃ для обеспечения долговременной надежности работы. Разводка печатной платы : Рекомендуется соответствующим образом расширить силовые дорожки для оптимизации пути теплоотвода устройства. Следует использовать короткие дорожки управления затвором, чтобы уменьшить влияние паразитных параметров на скорость переключения. Защита от электростатического разряда : MOSFET-транзисторы являются электростатически чувствительными устройствами. Для предотвращения электростатического пробоя затвора во время производства, хранения и сборки должны быть внедрены стандартные процедуры защиты от электростатического разряда. Применение встроенного диода : Встроенный диод исток-сток может использоваться в сценариях свободного хода с низким током. В случае больших скачков обратного тока проверьте параметры диода в соответствии с фактическими условиями эксплуатации.

5. Краткое описание продукта

Slkor FDV305N — это N-канальный MOSFET с траншейной структурой, разработанный для низковольтных и маломощных схем, в миниатюрном корпусе SOT-23. Он обладает выдерживаемым напряжением 20 В, током 0.9 А, низким сопротивлением в открытом состоянии, низким зарядом затвора и совместимостью с низковольтными системами управления. Благодаря сбалансированным параметрам и компактным размерам, он широко применяется в таких областях, как защита батарей, переключение нагрузки и управление питанием портативных устройств, являясь экономичным вариантом для низковольтных схем управления малой мощности.

Введение Скора
По словам Сун Шицяна, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comКомпания торжественно открыла свой третий франчайзинговый магазин в Хуацянбэй 14 августа 2026 года. В магазине в основном продаются MOSFET-транзисторы, микросхемы управления питанием, датчики Холла, оптопары, IGBT-транзисторы, компоненты из карбида кремния (SiC), приборы переменного/постоянного тока, TVS-диоды, диоды Шоттки, тиристоры и другие электронные компоненты.



FDV305N На страницу продукта