En diseños de circuitos como los de electrónica de consumo portátil, protección de baterías de litio, interruptores de carga pequeña y gestión de energía de baja potencia, la pérdida de conducción, la velocidad de conmutación, la compatibilidad de control y el tamaño del encapsulado de los MOSFET de baja potencia afectan directamente la duración de la batería y el nivel de miniaturización del equipo final. El Slkor FDV305N es un MOSFET de potencia de trinchera de canal N (TrenchFET) en un encapsulado miniatura de montaje superficial SOT-23. Presenta una tensión de ruptura drenador-fuente de 20 V y una corriente de drenaje continua de 0.9 A, con baja resistencia de encendido, baja carga de puerta y compatibilidad con control de baja tensión. Adecuado para diversos escenarios de control de baja tensión y baja potencia, sirve como una solución de conmutación de potencia rentable para electrónica portátil y sistemas de potencia pequeños.

1. Parámetros básicos del producto

• Tipo de dispositivo: MOSFET de potencia de trinchera de canal N (TrenchFET)
• Tensión de ruptura drenador-fuente (VDS): 20 V
• Tensión puerta-fuente (VGS): ±12V
• Resistencia de encendido (RDS(on)): 220 mΩ máx. a VGS=4.5 V, ID=0.9 A; 300 mΩ máx. a VGS=2.5 V, ID=0.7 A
• Corriente de drenaje continua (ID, TC=25℃): 0.9 A
• Corriente de drenaje pulsada (IDM): 2.0 A
• Disipación de potencia máxima (PD, TC=25℃): 0.35 W
• Voltaje umbral de puerta (VGS(th)): 0.6 V ~ 1.5 V
• Carga total de puerta (Qg): 0.8 nC típico
• Temperatura máxima de unión de funcionamiento (TJ): 150℃
• Rango de temperatura de almacenamiento: -50 ℃ ~ 155 ℃
• Encapsulado: SOT-23 de montaje superficial

2. Ventajas principales del producto

2.1 Arquitectura TrenchFET con bajas pérdidas de conducción

Fabricado con tecnología de proceso TrenchFET, este dispositivo ofrece un rendimiento de conducción optimizado. Con una resistencia de encendido típica de tan solo 170 mΩ a una tensión de puerta de 4.5 V, reduce eficazmente la pérdida de potencia en estado activo, mejora la eficiencia de conversión de energía del circuito y se adapta a escenarios de funcionamiento de baja tensión y baja corriente.

2.2 Baja carga de puerta para una respuesta de conmutación rápida

El dispositivo presenta una carga de puerta total típica de 0.8 nC, junto con tiempos de conmutación y de subida/bajada en la escala de nanosegundos. Permite una alta velocidad de conmutación y bajas pérdidas dinámicas, admite operaciones de conmutación de alta frecuencia y cumple con los requisitos de conmutación rápida de aplicaciones de gestión de energía y conmutación de carga de bajo consumo.

2.3 Compatibilidad de accionamiento de bajo voltaje para múltiples señales de control

Con un voltaje umbral de puerta que oscila entre 0.6 V y 1.5 V, el dispositivo puede encenderse completamente con un voltaje de puerta tan bajo como 2.5 V. Es compatible con varios niveles de control de bajo voltaje, incluidos 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V y 4.5 V, y puede ser controlado directamente por chips maestros de bajo voltaje, como MCU y PMIC, adaptándose a la arquitectura de sistema de bajo voltaje de los dispositivos portátiles.

2.4 Encapsulado SMD en miniatura para la miniaturización de productos

El encapsulado SOT-23 de montaje superficial, ultracompacto, ocupa un espacio mínimo en la placa de circuito impreso y admite el ensamblaje SMT automatizado estándar con una calidad de soldadura uniforme. Es ideal para diseños de circuitos compactos de alta densidad y cumple con los requisitos de miniaturización de los productos electrónicos portátiles.

2.5 Baja fuga para una menor potencia en modo de espera

Tanto la corriente de drenaje de puerta cero como la corriente de fuga de puerta se mantienen en niveles bajos, lo que reduce el consumo de energía estática en el modo de espera del circuito. Es ideal para dispositivos portátiles alimentados por batería y ayuda a prolongar la vida útil de la batería del producto.

3. Principales campos de aplicación

Gracias a sus ventajas de accionamiento a bajo voltaje, bajas pérdidas y tamaño compacto, el FDV305N se utiliza ampliamente en diversos escenarios de control de bajo voltaje y baja potencia: placas de protección de baterías de litio, interruptores de carga para dispositivos portátiles, interruptores de alimentación USB, pequeños módulos de gestión de energía, electrónica portátil, circuitos de control de baja potencia en electrónica de consumo y circuitos de conmutación de potencia en sistemas alimentados por batería.

4. Directrices de diseño de ingeniería

Ajuste de la tensión de excitación : Se recomienda una tensión de excitación de puerta de 4.5 V para un rendimiento de conducción óptimo. Al utilizar tensiones de puerta de 2.5 V o inferiores, preste atención al aumento de pérdidas causado por una mayor resistencia de encendido y verifique si la capacidad de conducción de corriente cumple con los requisitos de diseño. Reducción de la corriente de excitación : Realice un diseño de reducción de corriente basado en la temperatura ambiente, las condiciones de disipación de calor y el ciclo de trabajo en aplicaciones prácticas. Asegúrese de que la temperatura de la unión del dispositivo no supere los 150 ℃ para garantizar la fiabilidad operativa a largo plazo. Diseño de PCB : Se recomienda ampliar las rutas de las pistas de alimentación de forma adecuada para optimizar la ruta de disipación de calor del dispositivo. Mantenga las pistas de excitación de puerta cortas para reducir la influencia de los parámetros parásitos en la velocidad de conmutación. Protección ESD : Los MOSFET son dispositivos sensibles a la electrostática. Se deben implementar procedimientos estándar de protección ESD durante la producción, el almacenamiento y el ensamblaje para evitar la ruptura electrostática de la puerta. Aplicación del diodo de cuerpo : El diodo de cuerpo de fuente-drenador incorporado se puede utilizar para escenarios de rueda libre de baja corriente. En caso de grandes picos de corriente inversa, verifique los parámetros del diodo de acuerdo con las condiciones de funcionamiento reales.

5 Resumen del producto

El Slkor FDV305N es un MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de baja tensión y baja potencia, alojado en un encapsulado miniatura SOT-23. Ofrece una resistencia a la tensión de 20 V, una capacidad de conducción de corriente de 0.9 A, baja resistencia de encendido, baja carga de puerta y compatibilidad con bajas tensiones de excitación. Gracias a sus parámetros equilibrados y su tamaño compacto, se adapta a una amplia gama de aplicaciones, como la protección de baterías, la conmutación de carga y la gestión de energía para dispositivos portátiles, lo que lo convierte en una opción económica para circuitos de control de baja potencia y baja tensión.

Introducción a Slkor
Según Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comLa empresa inauguró por todo lo alto su tercera tienda franquiciada en Huaqiangbei el 14 de agosto de 2026. La tienda ofrece principalmente MOSFET, circuitos integrados de gestión de energía, elementos Hall, optoacopladores, IGBT, componentes de carburo de silicio (SiC), dispositivos de CA/CC, diodos TVS, diodos Schottky, tiristores y otros componentes electrónicos.



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