Dans les circuits destinés à l'électronique grand public portable, à la protection des batteries au lithium, aux commutateurs de faible charge et à la gestion de l'alimentation basse consommation, les pertes par conduction, la vitesse de commutation, la compatibilité de commande et la taille du boîtier des MOSFET basse consommation influent directement sur l'autonomie de la batterie et le niveau de miniaturisation des équipements finaux. Le Slkor FDV305N est un MOSFET de puissance à canal N (TrenchFET) en boîtier CMS miniature SOT-23. Il présente une tension de claquage drain-source de 20 V et un courant de drain continu de 0.9 A, avec une faible résistance à l'état passant, une faible charge de grille et une compatibilité avec les basses tensions de commande. Adapté à diverses applications de commande basse tension et basse consommation, il constitue une solution de commutation de puissance économique pour l'électronique portable et les petits systèmes d'alimentation.

1. Paramètres de base du produit

• Type de dispositif : MOSFET de puissance à canal N (TrenchFET)
• Tension de claquage drain-source (VDS) : 20 V
• Tension grille-source (VGS) : ±12 V
• Résistance à l'état passant (RDS(on)) : 220 mΩ max. à VGS = 4.5 V, ID = 0.9 A ; 300 mΩ max. à VGS = 2.5 V, ID = 0.7 A
• Courant de drain continu (ID, TC=25℃) : 0.9 A
• Courant de drain pulsé (IDM) : 2.0 A
• Puissance dissipée maximale (PD, TC=25℃) : 0.35 W
• Tension de seuil de grille (VGS(th)) : 0.6 V ~ 1.5 V
• Charge totale de grille (Qg) : 0.8 nC typique
• Température maximale de jonction en fonctionnement (TJ) : 150 °C
• Plage de températures de stockage : -50℃ ~ 155℃
• Boîtier : SOT-23 à montage en surface

2. Principaux avantages du produit

2.1 Architecture TrenchFET à faibles pertes de conduction

Fabriqué selon la technologie TrenchFET, ce composant offre des performances de conduction optimisées. Avec une résistance à l'état passant typique de seulement 170 mΩ à une tension de grille de 4.5 V, il réduit efficacement les pertes de puissance à l'état passant, améliore le rendement de conversion énergétique du circuit et convient aux applications basse tension et faible courant.

2.2 Faible charge de grille pour une réponse de commutation rapide

Ce dispositif présente une charge de grille totale typique de 0.8 nC, associée à des délais de commutation et des temps de montée/descente de l'ordre de la nanoseconde. Il permet une vitesse de commutation rapide et de faibles pertes dynamiques, supporte un fonctionnement à haute fréquence et répond aux exigences de commutation rapide des applications de gestion de l'énergie et de commutation de charge de petite taille.

2.3 Compatibilité des variateurs basse tension pour plusieurs signaux de commande

Avec une tension de seuil de grille comprise entre 0.6 V et 1.5 V, ce dispositif peut être activé dès 2.5 V. Compatible avec différents niveaux de commande basse tension (1.8 V, 2.5 V, 3.3 V et 4.5 V), il peut être piloté directement par des circuits intégrés maîtres basse tension tels que les microcontrôleurs et les circuits intégrés de gestion de l'alimentation, s'adaptant ainsi à l'architecture système basse tension des appareils portables.

2.4 Boîtier CMS miniature pour la miniaturisation des produits

Le boîtier SOT-23 ultracompact pour montage en surface occupe un espace minimal sur le circuit imprimé et prend en charge l'assemblage SMT automatisé standard avec une qualité de soudure constante. Il convient aux circuits compacts haute densité et répond aux exigences de miniaturisation des produits électroniques portables.

2.5 Faibles fuites pour une consommation en veille réduite

Le courant de drain de grille nul et le courant de fuite de grille sont maintenus à de faibles niveaux, ce qui réduit la consommation d'énergie statique en mode veille. Cette conception est idéale pour les appareils portables alimentés par batterie et contribue à prolonger l'autonomie de ces derniers.

3 Principaux domaines d'application

Grâce à ses avantages en termes de commande basse tension, de faibles pertes et de petit format, le FDV305N est largement utilisé dans divers scénarios de contrôle basse tension et basse consommation : cartes de protection de batteries au lithium, commutateurs de charge pour appareils portables, commutateurs d’alimentation USB, petits modules de gestion de l’alimentation, électronique portable, circuits de contrôle basse consommation dans l’électronique grand public et circuits de commutation de puissance dans les systèmes alimentés par batterie.

4. Directives de conception technique

Adaptation de la tension de commande : Une tension de commande de grille de 4.5 V est recommandée pour des performances de conduction optimales. Lors de l’utilisation de tensions de grille de 2.5 V ou moins, tenez compte de l’augmentation des pertes due à une résistance à l’état passant plus élevée et vérifiez que la capacité de transport de courant répond aux exigences de conception. Déclassement en température : Effectuez un déclassement du courant en fonction de la température ambiante, des conditions de dissipation thermique et du rapport cyclique dans les applications pratiques. Assurez-vous que la température de jonction du composant ne dépasse pas 150 °C pour garantir une fiabilité de fonctionnement à long terme. Implantation du circuit imprimé : Il est recommandé d’élargir les pistes d’alimentation de manière appropriée afin d’optimiser la dissipation thermique du composant. Maintenez les pistes de commande de grille courtes afin de réduire l’influence des paramètres parasites sur la vitesse de commutation. Protection contre les décharges électrostatiques : Les MOSFET sont des composants sensibles à l’électricité statique. Des procédures de protection contre les décharges électrostatiques standard doivent être mises en œuvre lors de la production, du stockage et de l’assemblage afin d’éviter les claquages ​​électrostatiques de la grille. Utilisation de la diode de substrat : La diode de substrat intégrée source-drain peut être utilisée dans les scénarios de roue libre à faible courant. En cas de fortes surtensions de courant inverse, vérifiez les paramètres de la diode en fonction des conditions de fonctionnement réelles.

5. Informations sur le produit

Le Slkor FDV305N est un MOSFET à canal N à tranchée conçu pour les applications basse tension et basse consommation, logé dans un boîtier miniature SOT-23. Il offre une tenue en tension de 20 V, une capacité de courant de 0.9 A, une faible résistance à l'état passant, une faible charge de grille et une compatibilité avec les tensions de commande basses. Grâce à ses paramètres équilibrés et à sa taille compacte, il s'adapte à de nombreuses applications telles que la protection de batteries, la commutation de charges et la gestion de l'alimentation pour appareils portables, constituant ainsi un choix économique pour les circuits de commande basse tension et basse consommation.

Introduction à Slkor
Selon Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.com) a inauguré en grande pompe son troisième magasin franchisé à Huaqiangbei le 14 août 2026. Le magasin propose principalement des MOSFET, des circuits intégrés de gestion de l'alimentation, des éléments Hall, des optocoupleurs, des IGBT, des composants en carbure de silicium SiC, des dispositifs AC/DC, des diodes TVS, des diodes Schottky, des thyristors et d'autres composants électroniques.



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