携帯型民生用電子機器、リチウム電池保護回路、小型負荷スイッチ、低電力電源管理などの回路設計において、低電力MOSFETの導通損失、スイッチング速度、駆動互換性、パッケージサイズは、最終機器のバッテリー寿命と小型化レベルに直接影響します。Slkor FDV305Nは、小型SOT-23表面実装パッケージのNチャネルトレンチパワーMOSFET（TrenchFET）です。ドレイン-ソース間降伏電圧20V、連続ドレイン電流0.9A、低オン抵抗、低ゲート電荷、低電圧駆動互換性を備えています。様々な低電圧・低電力制御シナリオに適しており、携帯型電子機器や小型電源システム向けのコスト効率の高い電力スイッチングソリューションとして機能します。

1. コア製品パラメータ

• デバイスタイプ：NチャネルトレンチパワーMOSFET（トレンチFET）
• ドレイン-ソース間降伏電圧（VDS）：20V
• ゲート-ソース間電圧（VGS）：±12V
• オン抵抗（RDS(on)）：VGS=4.5V、ID=0.9A時、最大220mΩ；VGS=2.5V、ID=0.7A時、最大300mΩ
• 連続ドレイン電流（ID、TC=25℃）：0.9A
• パルスドレイン電流（IDM）：2.0A
• 最大消費電力（PD、TC=25℃）：0.35W
• ゲートしきい値電圧（VGS(th)）：0.6V～1.5V
• 総ゲート電荷量（Qg）：標準値0.8nC
• 最大動作接合部温度（TJ）：150℃
• 保管温度範囲：-50℃～155℃
• パッケージ：SOT-23表面実装

2. 製品の主要メリット

2.1 低伝導損失トレンチFETアーキテクチャ

トレンチFETプロセス技術を用いて製造されたこのデバイスは、最適化された導通性能を実現します。ゲート駆動電圧4.5Vにおける標準的なオン抵抗はわずか170mΩであり、オン状態での電力損失を効果的に低減し、回路のエネルギー変換効率を向上させ、低電圧・低電流動作環境に適しています。

2.2 高速スイッチング応答を実現する低ゲート電荷

このデバイスは、標準的なゲート電荷総量が0.8nCであり、ナノ秒スケールのスイッチング遅延と立ち上がり/立ち下がり時間を実現しています。これにより、高速スイッチング速度と低動的損失が可能となり、高周波スイッチング動作をサポートし、小型電力管理および負荷スイッチング用途における高速スイッチング要件を満たします。

2.3 複数の制御信号に対応した低電圧駆動互換性

ゲートしきい値電圧が0.6V～1.5Vの範囲で、2.5Vという低いゲート電圧でも完全にオンにすることができます。1.8V、2.5V、3.3V、4.5Vなど、さまざまな低電圧制御レベルに対応しており、MCUやPMICなどの低電圧マスタチップで直接駆動できるため、携帯機器の低電圧システムアーキテクチャにも適応します。

2.4 製品の小型化のための小型SMDパッケージ

超小型のSOT-23表面実装パッケージは、基板スペースを最小限に抑え、標準的な自動SMT実装に対応し、安定したはんだ付け品質を実現します。高密度でコンパクトな回路設計に適しており、携帯型電子機器の小型化要件を満たします。

2.5 低漏洩電流による待機電力の低減

ゲートドレイン電流とゲートリーク電流の両方を低レベルに抑えることで、回路のスタンバイモードにおける静的消費電力を低減します。バッテリー駆動の携帯機器に最適で、製品のバッテリー寿命を延ばすのに役立ちます。

3. 主な応用分野

FDV305Nは、低電圧駆動、低損失、小型パッケージといった利点を持ち、リチウムイオン電池保護基板、携帯機器用負荷スイッチ、USB電源スイッチ、小型電源管理モジュール、ウェアラブルエレクトロニクス、民生用電子機器の低電力制御回路、バッテリー駆動システムの電源スイッチング回路など、さまざまな低電圧・低電力制御の場面で広く使用されています。

4. エンジニアリング設計ガイドライン

駆動マッチング：最適な導通性能を得るには、4.5Vのゲート駆動電圧を推奨します。2.5V以下のゲート電圧を使用する場合は、オン抵抗の増加による損失の増加に注意し、電流容量が設計要件を満たしているかどうかを確認してください。温度ディレーティング：実際のアプリケーションでは、周囲温度、放熱条件、デューティサイクルに基づいて電流ディレーティング設計を実施します。長期動作信頼性を保証するために、デバイスの接合部温度が150℃を超えないようにしてください。PCBレイアウト：デバイスの放熱経路を最適化するために、電源トレース経路を適切に広げることを推奨します。寄生パラメータがスイッチング速度に与える影響を減らすために、ゲート駆動トレースを短く保ちます。ESD保護：MOSFETは静電気に敏感なデバイスです。ゲートの静電破壊を避けるために、製造、保管、組み立て中に標準的なESD保護手順を実施する必要があります。ボディダイオードの適用：内蔵のソースドレインボディダイオードは、低電流フリーホイーリングシナリオで使用できます。大きな逆電流サージが発生した場合は、実際の動作条件に応じてダイオードパラメータを確認してください。

5.製品の概要

Slkor FDV305Nは、低電圧・低電力用途向けに設計されたNチャネルトレンチMOSFETで、小型のSOT-23パッケージに収められています。20Vの耐電圧、0.9Aの電流容量、低オン抵抗、低ゲート電荷、低電圧駆動互換性といった特長を備えています。バランスの取れた特性とコンパクトなサイズにより、バッテリー保護、負荷スイッチング、携帯機器の電源管理など幅広い用途に対応し、低電力・低電圧制御回路向けのコスト効率に優れた国産パワーデバイスとして最適です。

スコールの紹介
宋世強氏によると、Slkor Semiconductorは (https://www.slkormicro.com）は2026年8月14日、華強北に3番目のフランチャイズ店を盛大にオープンしました。この店舗では主に、MOSFET、パワーマネジメントIC、ホール素子、オプトカプラ、IGBT、SiC炭化ケイ素部品、AC/DCデバイス、TVSダイオード、ショットキーダイオード、サイリスタなどの電子部品を取り扱っています。



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