Ưu điểm của chúng tôi
- Đáp ứng tần số cực cao lên đến 7GHz cho hiệu suất RF tuyệt vời.
- Hệ số nhiễu cực thấp (NF ≤ 2dB), lý tưởng cho các bộ thu nhạy cảm.
- Hai transistor NPN trong gói SOT-363 giúp tiết kiệm không gian và chi phí trên mạch in.
- Độ khuếch đại công suất cao cho khả năng khuếch đại tần số vô tuyến hiệu quả.
- Nhiều ngăn hFE để khớp mạch chính xác
- Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS, không chứa halogen và không chứa chì.
- Phạm vi nhiệt độ rộng, phù hợp cho ứng dụng công nghiệp và truyền thông.
Mô tả Chi tiết
2SC3356DW-C là một transistor silicon epitaxy NPN kép dạng phẳng trong gói gắn bề mặt SOT-363. Nó có đặc tính nhiễu thấp, độ khuếch đại cao và tần số siêu cao, được thiết kế cho các bộ khuếch đại nhiễu thấp trong các ứng dụng băng tần VHF, UHF và CATV. Phiên bản C cung cấp hFE từ 125 đến 250 cho hiệu suất RF ổn định.
Tính năng nổi bật:
- Transistor phẳng silicon epitaxy NPN kép
- Gói gắn bề mặt siêu nhỏ SOT-363
- Độ nhiễu thấp và độ khuếch đại cao
- Được quyền lực cao
- hFE cấp C: 125–250
- Tần số chuyển tiếp: fT = 7GHz (điển hình)
- Hệ số nhiễu: NF = 1–2dB
- VCBO = 20V, VCEO = 12V, VEBO = 3V
- Dòng điện cực góp liên tục: IC = 100mA
- Công suất tiêu thụ: PC = 200mW
- Nhiệt độ tiếp giáp/lưu trữ: −50℃ đến +150℃
- Tuân thủ RoHS, không chứa halogen, không chứa chì
Ứng dụng
- Bộ khuếch đại nhiễu thấp VHF/UHF
- Khuếch đại tín hiệu CATV
- Các mạch tiền khuếch đại thu tần số cao
- Mô-đun truyền thông RF
- Thiết bị không dây di động
- Xử lý tín hiệu tốc độ cao
- Thiết kế mạch RF thu nhỏ