Nuestras ventajas
- Respuesta de frecuencia ultra alta de hasta 7 GHz para un excelente rendimiento de RF.
- Factor de ruido extremadamente bajo (NF ≤ 2 dB), ideal para receptores sensibles.
- El encapsulado SOT-363 con doble transistor NPN ahorra espacio y coste en la placa de circuito impreso.
- Alta ganancia de potencia para una amplificación de RF eficiente.
- Múltiples rangos de hFE para una coincidencia precisa del circuito.
- Cumple con la normativa RoHS, no contiene halógenos ni plomo.
- Amplio rango de temperatura para uso industrial y de comunicaciones.
Mareas Ideales para Lecciones
El 2SC3356DW-C es un transistor planar epitaxial de silicio NPN dual en encapsulado SOT-363 de montaje superficial. Ofrece bajo ruido, alta ganancia y características de ultra alta frecuencia, diseñado para amplificadores de bajo ruido en aplicaciones de banda VHF, UHF y CATV. La clasificación C proporciona un hFE de 125 a 250 para un rendimiento de RF estable.
CARACTERÍSTICAS
- Transistor planar epitaxial de silicio NPN dual
- Encapsulado de montaje superficial ultracompacto SOT-363
- Bajo nivel de ruido y alta ganancia
- De alta ganancia de potencia
- Grado C de hFE: 125–250
- Frecuencia de transición: fT = 7 GHz (típ.)
- Factor de ruido: NF = 1–2 dB
- VCBO = 20V, VCEO = 12V, VEBO = 3V
- Corriente continua del colector: IC = 100 mA
- Disipación de potencia: PC = 200 mW
- Temperatura de unión/almacenamiento: −50℃ a +150℃
- Cumple con la normativa RoHS, no contiene halógenos ni plomo.
Aplicaciones
- Amplificadores de bajo ruido VHF/UHF
- Amplificación de la señal CATV
- Frontales de receptores de alta frecuencia
- Módulos de comunicación RF
- Equipos inalámbricos portátiles
- Procesamiento de señales de alta velocidad
- Diseños de circuitos de RF en miniatura