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Transistor bipolar NPN 2SC3356DW-C SOT-363

El 2SC3356DW-C es un transistor planar epitaxial de silicio NPN dual en encapsulado SOT-363 de montaje superficial. Ofrece bajo ruido, alta ganancia y características de ultra alta frecuencia, diseñado para amplificadores de bajo ruido en aplicaciones de banda VHF, UHF y CATV. La clasificación C proporciona un hFE de 125 a 250 para un rendimiento de RF estable.

Nuestras ventajas


  • Respuesta de frecuencia ultra alta de hasta 7 GHz para un excelente rendimiento de RF.
  • Factor de ruido extremadamente bajo (NF ≤ 2 dB), ideal para receptores sensibles.
  • El encapsulado SOT-363 con doble transistor NPN ahorra espacio y coste en la placa de circuito impreso.
  • Alta ganancia de potencia para una amplificación de RF eficiente.
  • Múltiples rangos de hFE para una coincidencia precisa del circuito.
  • Cumple con la normativa RoHS, no contiene halógenos ni plomo.
  • Amplio rango de temperatura para uso industrial y de comunicaciones.

Mareas Ideales para Lecciones


El 2SC3356DW-C es un transistor planar epitaxial de silicio NPN dual en encapsulado SOT-363 de montaje superficial. Ofrece bajo ruido, alta ganancia y características de ultra alta frecuencia, diseñado para amplificadores de bajo ruido en aplicaciones de banda VHF, UHF y CATV. La clasificación C proporciona un hFE de 125 a 250 para un rendimiento de RF estable.

CARACTERÍSTICAS


  • Transistor planar epitaxial de silicio NPN dual
  • Encapsulado de montaje superficial ultracompacto SOT-363
  • Bajo nivel de ruido y alta ganancia
  • De alta ganancia de potencia
  • Grado C de hFE: 125–250
  • Frecuencia de transición: fT = 7 GHz (típ.)
  • Factor de ruido: NF = 1–2 dB
  • VCBO = 20V, VCEO = 12V, VEBO = 3V
  • Corriente continua del colector: IC = 100 mA
  • Disipación de potencia: PC = 200 mW
  • Temperatura de unión/almacenamiento: −50℃ a +150℃
  • Cumple con la normativa RoHS, no contiene halógenos ni plomo.

Aplicaciones


  • Amplificadores de bajo ruido VHF/UHF
  • Amplificación de la señal CATV
  • Frontales de receptores de alta frecuencia
  • Módulos de comunicación RF
  • Equipos inalámbricos portátiles
  • Procesamiento de señales de alta velocidad
  • Diseños de circuitos de RF en miniatura
Nombre
Título
Descripción
2SC3356DW-C SOT-363 ​.pdf
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Ficha técnica
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