我們的優勢
- 超高頻響應高達 7GHz,帶來卓越的射頻性能
- 極低的雜訊係數(NF ≤ 2dB),非常適合靈敏的接收機。
- 採用 SOT-363 封裝的雙 NPN 電晶體可節省 PCB 空間和成本。
- 高功率增益,實現高效能射頻放大
- 多個 hFE 箱用於精確的電路匹配
- 符合RoHS標準,無鹵素,無鉛。
- 適用於工業和通訊領域的寬溫度範圍應用
產品說明
2SC3356DW-C 是一款採用 SOT-363 表面貼裝封裝的雙 NPN 矽外延平面電晶體。它具有低雜訊、高增益和超高頻特性,專為 VHF、UHF 和 CATV 頻段的低雜訊放大器應用而設計。 C 級裝置的 hFE 值介於 125 至 250 之間,可實現穩定的射頻性能。
特色
- 雙NPN矽外延平面電晶體
- SOT-363 超小型表面貼裝封裝
- 低噪音和高增益
- 高功率增益
- hFE C級:125–250
- 過渡頻率:fT = 7GHz(典型值)
- 噪音係數:NF = 1–2dB
- VCBO = 20V,VCEO = 12V,VEBO = 3V
- 連續集電極電流:IC = 100mA
- 耗電量:PC = 200mW
- 結溫/儲存溫度:−50℃ 至 +150℃
- 符合RoHS標準,不含鹵素,不含鉛
應用領域
- VHF/UHF低噪音放大器
- CATV訊號放大
- 高頻接收機前端
- 射頻通訊模組
- 便攜式無線設備
- 高速訊號處理
- 微型射頻電路設計