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2SC3356DW-C NPN-Bipolartransistor SOT-363
Der 2SC3356DW-C ist ein planarer Silizium-Epitaxietransistor mit zwei NPN-Transistoren im SOT-363-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch geringes Rauschen, hohe Verstärkung und Ultrahochfrequenzeigenschaften aus und ist für rauscharme Verstärker in VHF-, UHF- und CATV-Anwendungen konzipiert. Die C-Variante bietet einen hFE-Wert von 125 bis 250 für eine stabile HF-Performance.
Unsere Vorteile
- Extrem hoher Frequenzgang bis zu 7 GHz für hervorragende HF-Leistung
- Extrem niedriges Rauschmaß (NF ≤ 2 dB), ideal für empfindliche Empfänger
- Zwei NPN-Transistoren im SOT-363-Gehäuse sparen Platz auf der Leiterplatte und Kosten
- Hohe Leistungsverstärkung für effiziente HF-Verstärkung
- Mehrere hFE-Bins für präzise Schaltungsanpassung
- RoHS-, halogenfrei und bleifrei-konform
- Breiter Temperaturbereich für industrielle und Kommunikationsanwendungen
Beschreibung
Der 2SC3356DW-C ist ein planarer Silizium-Epitaxietransistor mit zwei NPN-Transistoren im SOT-363-Gehäuse für die Oberflächenmontage. Er zeichnet sich durch geringes Rauschen, hohe Verstärkung und Ultrahochfrequenzeigenschaften aus und ist für rauscharme Verstärker in VHF-, UHF- und CATV-Anwendungen konzipiert. Die C-Variante bietet einen hFE-Wert von 125 bis 250 für eine stabile HF-Performance.
Funktionen
- Dual-NPN-Silizium-Epitaxie-Planartransistor
- SOT-363 ultrakleines Oberflächenmontagegehäuse
- Rauscharm und hohe Verstärkung
- Hochleistungsverstärkung
- hFE-Klasse C: 125–250
- Übergangsfrequenz: fT = 7 GHz (typ.)
- Rauschzahl: NF = 1–2dB
- VCBO = 20 V, VCEO = 12 V, VEBO = 3 V
- Kontinuierlicher Kollektorstrom: IC = 100 mA
- Verlustleistung: PC = 200 mW
- Sperrschicht-/Lagertemperatur: −50℃ bis +150℃
- RoHS-konform, halogenfrei, bleifrei
Anwendungen
- VHF/UHF-Rauscharme Verstärker
- CATV-Signalverstärkung
- Hochfrequenz-Empfänger-Frontends
- HF-Kommunikationsmodule
- Tragbare drahtlose Geräte
- Hochgeschwindigkeits-Signalverarbeitung
- Miniaturisierte HF-Schaltungsdesigns
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
SS30101-Q PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SD2098-R NPN-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT4401 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC4373-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Marke: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2757 T33 NPN Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT589 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
2SC2881-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMDT5551 NPN-Bipolartransistor SOT-363
Marke: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
M28S NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
MMBT2222AT NPN-Bipolartransistor SOT-523
Marke: slkor， VCEO(V)： 12V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 300mV fT(MHz)(fT(MHz))： 7GHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 100mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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