الصفحة الرئيسية الحلول تسليط الضوء اليومي CZT5551 حامل سطح الترانزستور السيليكون NPN

CZT5551 حامل سطح الترانزستور السيليكون NPN

2023-07-21 114

اليوم، سوف نقدم ترانزستور السيليكون NPN CZT5551 160V 0.6A في سطح جبل SOT-223.

الوصف

CZT5551 هو ترانزستور NPN ثنائي القطب (BJT) يتم تصنيعه بواسطة الفوقي عملية مستوية، مصبوبة من الإيبوكسي على السطح الحزمة، مصممة لمضخم الجهد العالي التطبيقات.

الاستخدامات

مضخم الجهد العالي التطبيقات.

بيانات مرجعية سريعة

رمز	معامل	الشروط	اكثر شئ	وحدة
V_{الرئيس التنفيذي}	جهد المجمع والباعث	قاعدة مفتوحة	160	V
I_C	تيار جامع		0.6	A
V_سيسات	جامع باعث جهد التشبع	I_C = 50 مللي أمبير؛ أنا_B = 5 مللي أمبير	0.2	V

حول سلكور

بفريق متميّز من جامعة تسينغهوا الصينية المرموقة وجامعة سيول يونسي الكورية، تُكرّس شركة شنتشن سلكور مايكرو سيميكون المحدودة جهودها لتطوير الجيل الثالث من أجهزة الطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC) وأشباه الموصلات التقليدية. نتميز بالمنهجيات والمواد والتقنيات والمنتجات الجديدة. تشمل منتجاتنا الأجهزة المنفصلة والدوائر المتكاملة (IC)، والثنائيات، والترانزستورات، وأجهزة الطاقة، ورقائق إدارة الطاقة، والرقائق التناظرية، وغيرها. بقيادة السيد سونغ شي تشيانغ، الرئيس التنفيذي لشركة سلكور، انطلقت الشركة من دار تصميم الملكية الفكرية، وأصبحت الآن شركة وطنية عالية التقنية تُغطي خدمات البحث والتطوير والإنتاج والمبيعات لأجهزة أشباه الموصلات. تُقدّم سلكور منتجات محلية عالية الجودة من أشباه الموصلات من كبرى الشركات العالمية. ولضمان سرعة الخدمات، تمتلك سلكور متجرين رئيسيين في وادي الأجهزة العالمي الشهير شنتشن هواكيانغبي.

CZT5551إلى صفحة المنتج

DB107S مقومات الجسر الزجاجي ذات السطح المثبت على السطح

لتالي

B772 PNP ترانزستور السيليكون الفوقي