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Transistor NPN en silicium CZT5551 à montage en surface
2023-07-21
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Aujourd'hui, nous présenterons le transistor NPN en silicium CZT5551 160 V 0.6 A. en montage en surface SOT-223.
Description
Le CZT5551 est un Transistor bipolaire NPN (BJT) fabriqué par épitaxie processus planaire, époxy moulé dans un montage en surface paquet, conçu pour l'amplificateur haute tension applications.
Applications
Amplificateur haute tension applications.
Données de référence rapides
| Symbole | Paramètre | Conditions | Max | Unité |
| VPDG | tension collecteur-émetteur | fond ouvert | 160 | V |
| IC | courant de collecteur | 0.6 | A | |
| VCEsat |
collecteur-émetteur tension de saturation |
IC = 50 mA ; jeB = 5 mA | 0.2 | V |
À propos de Slkor
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