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CZT5551 Silizium-NPN-Transistor zur Oberflächenmontage
2023-07-21
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Heute stellen wir den Silizium-NPN-Transistor CZT5551 mit 160 V und 0.6 A vor in oberflächenmontierter SOT-223-Ausführung.
Beschreibung
Der CZT5551 ist ein NPN-Bipolartransistor (BJT), hergestellt durch Epitaxie Planarer Prozess, Epoxidharz in einer Oberflächenmontage geformt Paket, konzipiert für Hochspannungsverstärker um weitere Anwendungsbeispiele zu finden.
Anwendungen
Hochspannungsverstärker um weitere Anwendungsbeispiele zu finden.
Schnellreferenzdaten
| Symbol | Parameter | Erkrankungen | Max | Einheit |
| VCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | offene Basis | 160 | V |
| IC | Kollektorstrom | 0.6 | A | |
| VCESat |
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung |
IC = 50mA; ICHB = 5mA | 0.2 | V |
Über Slkor
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