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CZT5551 シリコン NPN トランジスタ面実装

2023-07-21 115

今日は、CZT5551 160V 0.6A シリコン NPN トランジスタを紹介します。表面実装 SOT-223 で。

詳細説明

CZT5551 はエピタキシャル製法によるNPNバイポーラ(BJT)トランジスタプレーナプロセス、表面実装でエポキシモールド高電圧アンプ用に設計されたパッケージ分野の様々なアプリケーションで使用されています。

用途

高電圧アンプ分野の様々なアプリケーションで使用されています。

クイックリファレンスデータ

シンボル		の賃貸条件	最大値	ユニット
V_代表	コレクタ・エミッタ間電圧	オープンベース	160	V
I_C	コレクタ電流		0.6	A
V_CEsat	コレクタエミッタ飽和電圧	I_C = 50mA;私_B = 5mA	0.2	V

スコーについて

深センSlkor Micro Semicon Co., Ltd.は、中国の名門清華大学と韓国ソウル延世大学出身のエリートチームを擁し、第三世代半導体SiCパワーデバイスと従来型半導体デバイスに特化しています。当社は関連方法論、新材料、新技術、新製品を強みとしています。当社の製品は、ディスクリートデバイスとIC、ダイオード、トランジスタ、パワーデバイス、電源管理チップ、アナログチップなどをカバーしています。SlkorのCEOであるSong Shiqiang氏の強力なリーダーシップの下、IPデザインハウスから始まったSlkorは、現在では半導体デバイスの研究開発、製造、販売サービスをカバーする国営ハイテク企業です。Slkorは、主要な国際プレーヤーの半導体と同等の高品質な国内製品を提供しています。迅速なサービスを提供するために、Slkorは世界的に有名なハードウェアバレー、深セン華強北に2つの旗艦店を構えています。

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