Da serielle Verbindungen wie USB 3.2 Gen2×2, DisplayPort 2.1 und 16-Gbit/s-SerDes die Single-Ended-Datenraten auf über 20 Gbit/s treiben, verhält sich jedes ESD-Gerät mit einer Kapazität von über 0.3 pF wie eine versteckte Induktivität, die die Flanken verlangsamt. Die unidirektionale TVS-Diode SLPESDMC2FD5VB von Slkor kombiniert eine typische Sperrschichtkapazität von 0.25 pF mit einem Klemmpegel von 13 V, einer Sperrarbeitsspannung (VRWM) von 5 V und einer minimalen Durchbruchspannung (VBR) von 6 V und bietet so einen nahezu lastfreien elektrostatischen Schutz auf 5-V-Highspeed-Single-Ended- oder Differenzialleitungen. Der Sperrleckstrom beträgt dabei nur 100 nA. So lassen sich bei mobilen und tragbaren Geräten noch längere Standby-Zeiten erzielen.

Mission: ESD-, CDE- oder EFT-Impulse Nanosekunden vor Erreichen des IC-E/A abfangen und ihre Energie zur Massefläche ableiten. So fungiert der Baustein als „unsichtbare Sicherung“ zwischen dem Hochgeschwindigkeitssystem und der feindlichen Außenwelt. Herkömmliche Lösungen tauschen höhere Belastbarkeit gegen höhere Kapazität ein, was zu einem Zusammenbruch der Augendiagramme führt. SLPESDMC2FD5VB gleicht 88 W Spitzenimpulsleistung (8/20 μs) mit 0.25 pF Kapazität durch Slkors proprietäres Deep-Well-Verfahren aus und ist damit der ideale stille Wächter für Smartphones, Tablets, Notebooks, Autokameras und AR/VR-Headsets.

Ein präzise abgestimmtes Schutzfenster
Sperrbetriebsspannung VRWM = 5 V
Minimaler Rückwärtsdurchbruch VBR = 6 V
Dieses Fenster garantiert, dass normale 5-V-Signale nie gestört werden. Dennoch klemmt das Gerät zuverlässig unter ±15 kV Luft- und ±8 kV Kontaktentladungen (IEC 61000-4-2 Level 4) und 40 A, 5/50 ns EFT-Bursts und deckt so die elektrischen Spezifikationen von USB-C SuperSpeed, DisplayPort AUX, PCIe Sideband und anderen 5-V-Schnittstellen vollständig ab.

13 V niedrige Klemmspannung
Bei 1 A, 8/20 μs beträgt die typische Klemmspannung VC 13 V; bei 4 A steigt sie nur auf 22 V – weit unter der transienten Nennspannung von 20 V+ bei 5-V-CMOS-Prozessen, wodurch Überschwingspannungen minimiert und latente Gate-Oxid-Schäden verhindert werden.

0.25 pF Sperrschichtkapazität – 30 % niedriger als herkömmliche Angebote
CJ = 0.25 pF typ. (@ VR = 0 V, f = 1 MHz, max. 0.4 pF)

Einfügungsdämpfung < –0.15 dB und Rückflussdämpfung < –25 dB bei 20 GHz sorgen dafür, dass die unsymmetrischen Kanten über 10 Gbit/s scharf und die Augen weit offen bleiben.

100 nA extrem geringer Leckstrom
IR = 100 nA typ. (@ VR = 5 V, 25 °C) und bleibt bei 500 °C unter 85 nA, was die Akkulaufzeit von Telefonen, TWS-Ohrhörern und Wearables, die rund um die Uhr eingeschaltet bleiben müssen, um wertvolle Minuten verlängert.

DFN1006 ultradünnes Gehäuse
Mit Abmessungen von nur 1.0 mm × 0.6 mm × 0.5 mm benötigt es 60 % weniger Leiterplattenfläche als SOT-23; die Höhe von 0.5 mm passt problemlos unter eine USB-C-Zunge. Ein mittig freiliegendes Die-Paddle sorgt für den kürzesten Massepfad, reduziert die Schleifeninduktivität und beschleunigt die ESD-Entladung. Ni/Pd/Au-Anschlüsse sind bleifrei-reflow-kompatibel, und das 7-Zoll-Tape-and-Reel fasst 10 Stück für Hochgeschwindigkeits-Pick-and-Place-Linien.

Typische Anwendungen
? Mobil: USB-C SuperSpeed-Leitungen, Kopfhörerbuchsen, SIM-Fächer, Seitentasten, Kamera MIPI D-PHY/CSI-2
? Computing: Thunderbolt? 4/5 Lanes auf ultraflachen Notebooks, HDMI 2.1-Anschlüsse, SSD M.2-Steckplätze
- Automobil: Kamera FPD-Link III, GMSL-Links, IVI-USB-Hubs, Tuner-GPIOs
? Industrie & Medizin: Hochgeschwindigkeits-DAQ-Karten, Machine-Vision-Kameras, tragbare Ultraschallsondenanschlüsse
? AR/VR und Wearables: AR-Glas-Micro-OLED-Verbindungen, kombinierte Lade-/Datenanschlüsse für Smartwatches

Design-Tipps
Platzieren Sie den SLPESDMC2FD5VB innerhalb von 2 mm vom Steckereingang. Halten Sie unsymmetrische oder differenzielle Leiterbahnen symmetrisch und impedanzkontrolliert. Öffnen Sie ein solides Massefenster direkt unter dem freiliegenden TVS-Pad – verwenden Sie keinen langen Masserückweg.

Darüber hinaus bietet die Website von Slkor (www.slkoric.com) eine große Auswahl anderer Produktfamilien, die Designern noch mehr Möglichkeiten bieten.

Mit seiner ultraniedrigen Kapazität von 0.25 pF, der präzisen Klemmung von 13 V, dem engen Schutzfenster von 5 V/6 V und einer Leckage von 100 nA setzt SLPESDMC2FD5VB einen neuen „unsichtbaren“ ESD-Maßstab für 5 V-Hochgeschwindigkeits-Single-Ended- und Differenzialschnittstellen und bietet einen geräuschlosen und dennoch absolut zuverlässigen Schutz für leichtere, schnellere und zuverlässigere Endprodukte.

Über Slkor:

SLKORmit Hauptsitz in Shenzhen, China, ist ein schnell wachsendes nationales Hightech-Unternehmen im Bereich Leistungshalbleiter. Das Unternehmen verfügt über Forschungs- und Entwicklungszentren in Peking und Suzhou, wobei das technische Kernteam an der Tsinghua-Universität arbeitet. Als Innovator in der Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungsbauelementtechnologie SLKORDie Produkte von finden breite Anwendung in Fahrzeugen mit alternativer Energie, der Photovoltaik-Stromerzeugung, dem industriellen IoT und der Unterhaltungselektronik und versorgen weltweit über 10,000 Kunden mit wichtigen Halbleiterlösungen. Das Unternehmen liefert jährlich mehr als 2 Milliarden Einheiten aus. Seine SiC-MOSFETs und ultraschnellen SBD-Dioden der 5. Generation setzen in puncto Wirkungsgrad und thermischer Stabilität Branchenmaßstäbe. SLKOR Das Unternehmen hält über 100 Erfindungspatente und bietet über 2,000 Produktmodelle an. Das Unternehmen erweitert sein IP-Portfolio kontinuierlich um Leistungsbauelemente, Sensoren und Power-Management-ICs. Zertifizierungen wie ISO 9001, EU RoHS/REACH und CP65-Konformität belegen das unermüdliche Engagement des Unternehmens für technologische Innovation, schlanke Fertigung und nachhaltige Entwicklung.