Im Zuge der Umstellung intelligenter Terminals auf dünnere, leichtere und höherfrequente Designs ist die potenzielle Gefahr elektrostatischer Entladungen (ESD) für Schaltkreise immer deutlicher geworden. Da die Funktionsdichte tragbarer Produkte wie Smartphones und Wearables weiter zunimmt, stellen ihre internen Hochgeschwindigkeitssignalverbindungen höhere Anforderungen an die Leistung von ESD-Schutzvorrichtungen – sie müssen nicht nur hochintensiven elektrostatischen Stößen standhalten, sondern auch die Integrität der Signalübertragung nicht beeinträchtigen. Slkor hat speziell die bidirektionale ESD-Schutzdiode BTRD04A035 auf den Markt gebracht, die mit ihrem kompakten DFN1006-Gehäuse und ihrer ausgewogenen Leistung eine zuverlässige Schutzbarriere für Geräte der Unterhaltungselektronik bildet.

Als Schutzgerät für Hochfrequenzszenarien bietet der BTRD04A035 eine präzise Balance der elektrischen Leistung: Die Sperrarbeitsspannung (VRWM) erreicht 5.0 V und ist mit gängigen Niederspannungsschaltungen kompatibel. Die Sperrdurchbruchspannung (VBR) reicht von 5.6 V bis 8.4 V (typischer Wert 6.5 V), wodurch die Signalübertragung im Normalbetrieb nicht gestört wird. Die Vorwärtsklemmspannung (VC) beträgt nur 10 V bei einem 1-A-Impuls und 12 V bei einem 5-A-Impuls, wodurch vorübergehende Überspannungen schnell auf einen sicheren Bereich begrenzt und empfindliche Chips im Backend geschützt werden können. Seine Sperrschichtkapazität (CJ) von 15 pF und sein Sperrleckstrom (IR) von 0.1 μA sorgen zusätzlich für ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Hochfrequenzsignalkompatibilität und geringem Stromverbrauch und machen ihn perfekt für Hochgeschwindigkeitsdatenverbindungen geeignet.

In Bezug auf die Schutzfähigkeit entspricht das Gerät der Norm IEC 61000-4-2, wobei sowohl Kontakt- als auch Luftentladung ±25 kV erreichen. Es hält Blitzimpulsen von 5 A (8/20 μs) stand und hat eine Spitzenimpulsleistung von 60 W. Dank der Reaktionsgeschwindigkeit im Nanosekundenbereich kann es elektrostatische Störungen und Überspannungsstörungen sofort unterdrücken. Das verwendete DFN1006-Gehäuse (Abmessungen 0.55–0.65 mm × 0.95–1.05 mm × 0.35–0.45 mm) spart im Vergleich zu herkömmlichen Gehäusen über 40 % Platz, unterstützt bleifreie Reflow-Lötprozesse (Spitzentemperatur 260 °C), erfüllt die MSL-Zuverlässigkeitsanforderungen und ist mit hochdichten Leiterplattenlayouts kompatibel.

Die Kernvorteile des Produkts konzentrieren sich auf drei Aspekte:

● Schutz für alle Szenarien: ±25 kV ESD-Schutz und 5 A Blitztoleranz decken gängige Szenarien elektromagnetischer Störungen in der Unterhaltungselektronik ab;

● Hochfrequenzkompatibilität: Die niedrige Sperrschichtkapazität von 15 pF hat nur minimale Auswirkungen auf die Hochgeschwindigkeitssignalübertragung und passt sich an Hochfrequenzschnittstellen intelligenter Terminals an.

● Energieeffizienz und Integration: Ein extrem niedriger Leckstrom von 0.1 μA verlängert die Batterielebensdauer des Geräts und das DFN1006-Gehäuse ermöglicht ein dünnes und leichtes Produktdesign.

Die Anwendungsbereiche decken ein breites Spektrum der gängigen Produktlinien der Unterhaltungselektronik ab: Smartphones, Tablets, Smart-TVs und Set-Top-Boxen, tragbare Geräte und PDAs, die in elektrostatisch empfindlichen Bereichen wie Touchscreen-Schnittstellen und Datenübertragungsverbindungen besonders gute Leistungen erbringen.

Ein Verantwortlicher aus der Abteilung für Schutzgeräte von Slkor erklärte: „Das Kerndesign des BTRD04A035 ist ‚Ausgewogenheit‘ – das Erreichen eines hochintensiven Schutzes auf begrenztem Raum bei gleichzeitig geringer Interferenz mit Hochfrequenzsignalen. Dieser Ansatz entspricht genau dem aktuellen Entwicklungstrend elektronischer Geräte, bei dem ‚sowohl die funktionale Integration als auch die Zuverlässigkeit im Vordergrund stehen‘.“

Derzeit wird der BTRD04A035 stabil in Massenproduktion hergestellt. Er wird auf Rolle (10,000 Stück pro Rolle) verpackt und unterstützt Großeinkäufe. Technische Handbücher und Muster finden Sie auf der offiziellen Website von Slkor (SLKOR Halbleiter: Diskrete Halbleiter, TVS, ESD, Dioden, Komponenten, Transistoren, MOSFET, IGBT, Gleichrichter, diskrete Leistungsbauelemente, SCR, TRIAC, Zenerdiode; Integrierte Halbleiter, Operationsverstärker, Hallsensor, Linearregler/LDO, DC-DC-Wandler, AC-DC-Wandler und Optokoppler) für Details.

Über Slkor:

SLKORmit Hauptsitz in Shenzhen, China, ist ein schnell wachsendes nationales Hightech-Unternehmen im Bereich Leistungshalbleiter. Das Unternehmen verfügt über Forschungs- und Entwicklungszentren in Peking und Suzhou, wobei das technische Kernteam an der Tsinghua-Universität arbeitet. Als Innovator in der Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungsbauelementtechnologie SLKORDie Produkte des Unternehmens finden breite Anwendung in Elektrofahrzeugen, Photovoltaikanlagen, dem industriellen Internet der Dinge (IoT) und der Unterhaltungselektronik und bieten über 10,000 Kunden weltweit wichtige Halbleiterlösungen. Das Unternehmen liefert jährlich mehr als zwei Milliarden Einheiten aus, wobei seine SiC-MOSFETs und ultraschnellen SBD-Dioden der 5. Generation in puncto Wirkungsgrad und thermischer Stabilität branchenweit Maßstäbe setzen. SLKOR Das Unternehmen hält über 100 Erfindungspatente und bietet über 2,000 Produktmodelle an. Das Unternehmen erweitert sein IP-Portfolio kontinuierlich um Leistungsbauelemente, Sensoren und Power-Management-ICs. Zertifizierungen wie ISO 9001, EU RoHS/REACH und CP65-Konformität belegen das unermüdliche Engagement des Unternehmens für technologische Innovation, schlanke Fertigung und nachhaltige Entwicklung.