1. Was ist ein schnelle Erholungsdiode

Schnelle Wiederherstellungsdioden werden häufig in Gleichrichtungs- und Freilaufprodukten mit höherer Frequenz verwendet. Im Allgemeinen werden sie für den Eingangsteil des Leistungsmoduls verwendet. Die Frequenz ist nicht hoch. Es müssen keine schnellen Wiederherstellungsdioden verwendet werden. Verwenden Sie einfach normale Dioden.

Im Vergleich zu einer Diode ist die Reaktionszeit beim Wechsel der an ihren beiden Enden angelegten Spannung von Vorwärts- auf Rückwärtsrichtung im Allgemeinen sehr kurz. Beim Wechsel der Spannung von Rückwärts- auf Vorwärtsrichtung hingegen ist die Zeit relativ lang, die sogenannte Sperrverzögerungszeit. Wird die Diode beispielsweise zur Hochfrequenzgleichrichtung verwendet, muss die Sperrverzögerungszeit sehr kurz sein. Derzeit gibt es eine Fast-Recovery-Diode (FRD), eine ultraschnelle Recovery-Diode (SRD), eine Schaltdiode und die schnellste Diode ist die Schottky-Röhre (ihr Prinzip unterscheidet sich von den oben genannten Dioden).

2. Eigenschaften der Fast-Recovery-Dioden

Die Fast-Recovery-Diode (kurz FRD) ist eine Halbleiterdiode mit guten Schalteigenschaften und kurzer Sperrverzögerungszeit. Sie wird hauptsächlich in Schaltnetzteilen, PWM-Pulsweitenmodulatoren, Frequenzumrichtern und anderen elektronischen Schaltungen eingesetzt. Es kommen Freilaufdioden oder Dämpfungsdioden zum Einsatz.

Die interne Struktur der Fast-Recovery-Diode unterscheidet sich von der einer gewöhnlichen PN-Sperrschichtdiode. Sie gehört zu den PIN-Sperrschichtdioden, d. h., zwischen dem P-Typ-Siliziummaterial und dem N-Typ-Siliziummaterial wird ein Basisbereich I eingefügt, um einen PIN-Siliziumwafer zu bilden. Da der Basisbereich sehr dünn und die Sperrverzögerungsladung gering ist, ist die Sperrverzögerungszeit der Fast-Recovery-Diode kurz, der Durchlassspannungsabfall gering und die Sperrdurchbruchspannung (Stehspannungswert) hoch.

3. Merkmale des Fast-Recovery-Dioden-Gehäusetyps

Normalerweise ist die Fast-Recovery-Diodenröhre von 5 bis 20 A in einem TO-220FP-Kunststoffgehäuse untergebracht, die Hochleistungs-Fast-Recovery-Diode über 20 A ist in einem TO-3P-Kunststoffgehäuse mit einem Metallkühlkörper auf der Oberseite untergebracht und die Fast-Recovery-Diode unter 5 A ist in einem DO-41-Kunststoffgehäuse mit Spezifikationen wie DO-15 oder DO-27 untergebracht.