Service-Hotline
Als Silizium-PIN-Fotodiode kann das Gerät unter Sperrvorspannungsbedingungen arbeiten, mit spektralen Reaktionsbereichen von sichtbarem Licht bis Nahinfrarotlicht und mit einer Spitzenreaktionswellenlänge von 930 nm.
Si-PIN-Transistor
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung
Als Silizium-PIN-Fotodiode kann das Gerät unter Sperrvorspannungsbedingungen arbeiten, mit spektralen Reaktionsbereichen von sichtbarem Licht bis Nahinfrarotlicht und mit einer Spitzenreaktionswellenlänge von 930 nm.
Eigenschaften
● Ebene orthographische Struktur
● Niedriger Dunkelstrom
● Hoher Responsegrad
● Hohe Zuverlässigkeit
Anwendungen
● Glasfaserkommunikation, Sensorik und Entfernungsmessung
● Optische Erkennung von sichtbarem Licht bis Nahinfrarotlicht, schnelle optische Impulserkennung
● Industrielle automatische Steuerung
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.