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BAV19W Oberflächenmontierte Schaltdiode SOD-123
Die BAV19W ist eine oberflächenmontierte Schaltdiode, die für schnelles Schalten und effiziente Gleichrichtung in kompakten elektronischen Schaltkreisen entwickelt wurde. Diese Diode im SOD-123-Gehäuse kombiniert einen kleinen Formfaktor mit robuster Leistung und ist damit eine ausgezeichnete Wahl für Anwendungen, bei denen Platzersparnis und Zuverlässigkeit entscheidend sind.
Oberflächenmontierte Schaltdiode
Unser Vorteil
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung
Die BAV19W ist eine oberflächenmontierte Schaltdiode, die für schnelles Schalten und effiziente Gleichrichtung in kompakten elektronischen Schaltkreisen entwickelt wurde. Diese Diode im SOD-123-Gehäuse kombiniert einen kleinen Formfaktor mit robuster Leistung und ist damit eine ausgezeichnete Wahl für Anwendungen, bei denen Platzersparnis und Zuverlässigkeit entscheidend sind.
Eigenschaften
● Schnelle Schaltgeschwindigkeit.
● Oberflächenmontiertes Paket, ideal geeignet für automatisches Einsetzen.
● Für allgemeine Schaltanwendungen.
Anwendungen
● Schnellschaltdiode zur Oberflächenmontage.
Schnellreferenzdaten
| Symbol | Parameter | Erkrankungen | Max | Einheit |
| IR | Rückstrom | VR = 200 V; Tmit = 25 ° C. | 0.1 | μA |
| VRM | Sperrspannung | 250 | V | |
| trr | Reverse-Recovery-Zeit | Tmit = 25 ° C. | 50 | ns |
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
1N4148W Schnellschaltdiode SOD-123
Marke: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
1N4148WS Oberflächenmontierte Schaltdiode SOD-323
Marke: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
BAV70 Oberflächenmontierte Schaltdiode SOT-23
Marke: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
LL4148 Kleinsignal-Schnellschaltdioden LL-34
Marke: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
BAV99 Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode SOT-23
Marke: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
1N4148WT Kleinsignaldiode SOD-523
Marke: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
1SS355 Schnellschaltdioden SOD-323
Marke: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
BAV21W Oberflächenmontierte Schaltdiode SOD-123
Marke: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
BAW56 Schnellschaltdioden SOT-23
Marke: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
BAV199 Schaltdioden SOT-23
Marke: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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