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SL27624MS Gate-Treiber lCs SOP-8
VDD(V): 4.5V
IO(A):3.6mA
IDDq(A): 810μA
TA(℃): 125℃
Paket: SOT-8
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung
Der SL27624 ist ein zweikanaliger, schneller Low-Side-Gate-Treiber, der MOSFET- und IGBT-Leistungsschalter effektiv ansteuern kann. Dank seines Designs, das den Durchschussstrom inhärent minimiert, kann der SL27624 hohe Spitzenstromimpulse in kapazitive Lasten einspeisen und ableiten und bietet so Rail-to-Rail-Versorgung.
Antriebsfähigkeit und extrem geringe Ausbreitungsverzögerung, typischerweise 20 ns.
Der SL27624 bietet eine Spitzen-Antriebsstromkapazität von 5.0 A (Quelle) und 5.0 A (Senke) bei einer VDD-Versorgung von 12 V.
Eigenschaften
● Zwei unabhängige Gate-Drive-Kanäle
● Spitzenstromquelle: 5.0 A, Spitzenstromsenke: 5.0 A
● Kurze Laufzeitverzögerung (typischerweise 20 ns)
● Schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten (typischerweise 7 ns bzw. 6 ns)
● 4.5 bis 30 V Einzelspannungsbereich
● Unterspannungssperre
● TTL- und CMOS-kompatible Eingangslogikschwelle
● Fähigkeit, negative Eingangsspannungen (-5 V) zu verarbeiten
● Typische Verzögerungsanpassung zwischen zwei Kanälen: 2 ns
● Zwei Ausgänge sind parallel geschaltet, um einen höheren Treiberstrom zu erzielen.
● Ausgänge werden auf niedrigem Pegel gehalten, wenn Eingänge undefiniert sind.
● Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 150 °C
● SOP8- und MSOP8-EP-Gehäuseoptionen
Anwendung
● Schaltnetzteile
● DC/DC-Wandler
● Motorsteuerung, Solarenergie
● Gate-Ansteuerung für neuartige Leistungshalbleiter mit großem Bandabstand wie GaN
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Support
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
SL27511A Einkanaliger Low-Side-Gate-Treiber Gate-Treiber lC SOT-23-6
Marke: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 190μA TA(℃）： 125℃ Package： SOT-23-6L
SL27517A Einkanal-Gate-Treiber Gate-Treiber lC SOT-23-5
Marke: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 183μA TA(℃）： 125℃ Package： SOT-23-5L
SL27524 Gate-Treiber lC SOP-8
Marke: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 180μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
SL27525 Gate-Treiber lC SOP-8
Marke: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 180μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
SL4427 Dual Low Side Treiber Gate-Treiber lC SOP-8
Marke: slkor， VDD(V)： 25V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 0.75mA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
SL27523 Gate-Treiber lC SOP-8
Marke: slkor， VDD(V)： 24V IO(A)： 4A IDDq(mA)： 180μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-8
SL2004 Gate-Treiber lCs SOP-8
Marke: slkor， VDD(V)： 20V IO(A)： 270mA IDDq(mA)： 60μA TA(℃）： -40~125℃ Package： SOP-8
SL21814 Gate-Treiber lCs SOP-14
Marke: slkor， VDD(V)： 10V IO(A)： 2.4A IDDq(mA)： 30μA TA(℃）： 125℃ Package： SOP-14
SL27531 Gate-Treiber lCs SOT-23-6
Marke: slkor， VDD(V)： 4.5V IO(A)： 5A IDDq(mA)： 50μA TA(℃）： 125℃ Package： SOT-23-6
SL27714 Gate-Treiber-ICs SOP-14
Marke: slkor， VDD(V)： 20V IO(A)： 3.5A IDDq(mA)： 65μA TA(℃）： -40℃~125℃ Package： SOP-14
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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