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Der digitale NPN+PNP-Transistor UMC3N SOT-323 ist eine Hochleistungskomponente, die für anspruchsvolle elektronische Anforderungen entwickelt wurde. Mit einem VCC von -50 V und einem IO-Nennwert von -50 mA bietet dieser Transistor eine robuste Leistung für verschiedene Schaltkreise. Die Spannungsschwellen sind mit VI(aus) bei -0.5 V und VI(ein) bei -3 V fein abgestimmt, was eine präzise Kontrolle des Signalflusses gewährleistet. Mit einer hohen Übergangsfrequenz von 250 MHz eignet sich dieser Transistor hervorragend für Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Im kompakten SOT-353-Gehäuse ist er ideal für Umgebungen mit beengten Platzverhältnissen.
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung
Der digitale NPN+PNP-Transistor UMC3N im SOT-323-Gehäuse ist ein Hochleistungsbauteil für anspruchsvolle elektronische Anwendungen. Mit einer Leerlaufspannung (V<sub> CC </sub>) von -50 V und einem Einschaltstrom (I<sub> O </sub>) von -50 mA bietet dieser Transistor eine robuste Leistung für diverse Schaltungen. Die Spannungsschwellen sind präzise auf -0.5 V (V<sub> I(off)</sub>) und -3 V (V <sub> I(on) </sub>) abgestimmt und gewährleisten so eine exakte Steuerung des Signalflusses. Dank seiner hohen Grenzfrequenz von 250 MHz eignet sich dieser Transistor hervorragend für Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Das kompakte SOT-353-Gehäuse macht ihn ideal für beengte Umgebungen.
Eigenschaften
● Die Transistoren DTA114E und DTC114E sind in einem Gehäuse integriert.
● Ideal für Leistungsschalterkreise
● Montagekosten und -fläche können halbiert werden
Anwendung:
● Der digitale Transistor im NPN-Stil.
● Der digitale Transistor im PNP-Stil.
Unterstützung
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Langlebigkeit
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