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Transistor MOSFET de potencia de canal P Slkor SL2301S: tensión de resistencia de 20 V, 2.4 A, transistor de efecto de campo para interruptor de potencia SOT-23
1. Parámetros básicos del producto
1.1 Valores máximos (TA = 25 ℃)
- Tensión de ruptura drenador-fuente: -20 V
- Tensión puerta-fuente: +8 V
- Corriente de drenaje continua: -2.4 A
- Corriente de drenaje pulsada: -10 A
- Disipación de potencia total del dispositivo: 900 mW
- Temperatura máxima de la unión: 150 ℃
- Rango de temperatura de almacenamiento: -55 ℃ ~ +150 ℃
1.2 Características eléctricas (TA = 25 ℃, ancho de pulso ≤300 μs; ciclo de trabajo ≤2.0%)
- Tensión de ruptura drenador-fuente: -20 V
- Rango de voltaje umbral de puerta: -0.4 V ~ -1.5 V
- Caída máxima de tensión directa del diodo intrínseco: -1.5 V
- Corriente de drenaje con voltaje de puerta cero: -10 μA ~ -1 μA (Prueba a TA=55 ℃)
- Corriente de fuga máxima del cuerpo de la puerta: +100 nA
- Resistencia máxima en estado activo a VGS=-4.5 V: 140 mΩ
- Resistencia máxima en estado activo a VGS=-2.5 V: 200 mΩ
- Capacitancia de entrada típica: 600 pF
- Capacitancia de salida típica: 120 pF
- Tiempo de encendido típico: 8 ns
- Tiempo de apagado típico: 60 ns
1.3 Paquete
Tipo de encapsulado: Encapsulado de montaje superficial SOT-23.
2. Características principales del producto
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente;
- Construcción sin plomo;
- El encapsulado de montaje superficial SOT-23 ahorra espacio en la placa de circuito impreso y admite la soldadura por reflujo automatizada;
- Baja resistencia en estado activo bajo diferentes voltajes de control de puerta para reducir las pérdidas por conducción;
- La velocidad de conmutación cumple con los requisitos para circuitos de conmutación de uso general.
3. Principales campos de aplicación
- Circuitos relacionados con PWM;
- Circuitos de conmutación de carga;
- Diversos circuitos de gestión de energía.
4. Sugerencias para el diseño de ingeniería
- Las condiciones de funcionamiento nunca deberán exceder los valores máximos absolutos, incluyendo voltaje, corriente, disipación de potencia y temperatura de unión. Se requiere un diseño térmico para un funcionamiento prolongado que mantenga la temperatura de unión por debajo de 150 °C. La temperatura de almacenamiento deberá mantenerse entre -55 °C y +150 °C.
- La tensión entre puerta y fuente no debe exceder los +8 V. Si se supera este valor, se dañará la capa de óxido de la puerta y se producirá un fallo en el dispositivo.
- El diodo de cuerpo integrado puede utilizarse para la conducción en circuito abierto en bucles inversos. Preste atención a la pérdida de potencia causada por su caída de tensión directa.
- Los parámetros de conmutación se miden en condiciones de pulso estrecho y ciclo de trabajo bajo. Las pérdidas de conmutación adicionales introducidas por las capacitancias del dispositivo se evaluarán para el funcionamiento continuo a alta frecuencia según la frecuencia de trabajo real.
- La corriente de drenaje pulsada solo es válida para condiciones de pulso corto y no puede utilizarse como corriente de funcionamiento continua.
- Mantenga las pistas de puerta cortas en el diseño de la PCB para reducir la inductancia parásita y suprimir la oscilación. Debido al área térmica limitada del encapsulado SOT-23, aumente el área de vertido de cobre para una mejor disipación del calor en condiciones de alta corriente.
5 Resumen del producto
El SL2301S es un MOSFET de potencia de canal P en encapsulado SOT-23 con una tensión de resistencia de 20 V y una corriente continua de 2.4 A. Ofrece un buen rendimiento de resistencia de encendido y utiliza una carcasa de montaje superficial sin plomo. Está diseñado para interruptores de carga de potencia media y baja, PWM y circuitos de gestión de energía para sistemas de alimentación de electrónica de consumo. Para garantizar un rendimiento estable a largo plazo, los diseñadores deben respetar las especificaciones máximas absolutas y optimizar el rendimiento térmico, así como el diseño de la placa de circuito impreso (PCB).
Acerca de Slkor:
SLKORLa cartera de productos de la compañía incluye dispositivos semiconductores discretos como diodos, transistores y dispositivos de potencia, así como circuitos integrados como reguladores lineales, convertidores CC-CC, chips de interfaz, sensores Hall, convertidores analógico-digitales (ADC) y sistemas de gestión de baterías (BMS).
SL2301SA la página del producto





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