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Transistor MOSFET de potencia de canal P Slkor SL2301S: tensión de resistencia de 20 V, 2.4 A, transistor de efecto de campo para interruptor de potencia SOT-23

2026-11-10 85
El SL2301S es un MOSFET de potencia de canal P en encapsulado SOT-23 desarrollado por Slkor. Ofrece una tensión de ruptura drenador-fuente de 20 V y una corriente de drenaje continua de 2.4 A con baja resistencia en estado activo. Este dispositivo de montaje superficial sin plomo es adecuado para la gestión de energía, conmutación de carga, control PWM y otros escenarios de circuitos. Este documento describe sus parámetros, características, aplicaciones y sugerencias relevantes para su uso en ingeniería.

SLKOR
Imagen del producto del interruptor de potencia MOSFET SL2301S de Slkor

1. Parámetros básicos del producto

1.1 Valores máximos (TA = 25 ℃)

  1. Tensión de ruptura drenador-fuente: -20 V
  2. Tensión puerta-fuente: +8 V
  3. Corriente de drenaje continua: -2.4 A
  4. Corriente de drenaje pulsada: -10 A
  5. Disipación de potencia total del dispositivo: 900 mW
  6. Temperatura máxima de la unión: 150 ℃
  7. Rango de temperatura de almacenamiento: -55 ℃ ~ +150 ℃

1.2 Características eléctricas (TA = 25 ℃, ancho de pulso ≤300 μs; ciclo de trabajo ≤2.0%)

  1. Tensión de ruptura drenador-fuente: -20 V
  2. Rango de voltaje umbral de puerta: -0.4 V ~ -1.5 V
  3. Caída máxima de tensión directa del diodo intrínseco: -1.5 V
  4. Corriente de drenaje con voltaje de puerta cero: -10 μA ~ -1 μA (Prueba a TA=55 ℃)
  5. Corriente de fuga máxima del cuerpo de la puerta: +100 nA
  6. Resistencia máxima en estado activo a VGS=-4.5 V: 140 mΩ
  7. Resistencia máxima en estado activo a VGS=-2.5 V: 200 mΩ
  8. Capacitancia de entrada típica: 600 pF
  9. Capacitancia de salida típica: 120 pF
  10. Tiempo de encendido típico: 8 ns
  11. Tiempo de apagado típico: 60 ns

1.3 Paquete

Tipo de encapsulado: Encapsulado de montaje superficial SOT-23.

2. Características principales del producto

  1. Alta potencia y capacidad de manejo de corriente;
  2. Construcción sin plomo;
  3. El encapsulado de montaje superficial SOT-23 ahorra espacio en la placa de circuito impreso y admite la soldadura por reflujo automatizada;
  4. Baja resistencia en estado activo bajo diferentes voltajes de control de puerta para reducir las pérdidas por conducción;
  5. La velocidad de conmutación cumple con los requisitos para circuitos de conmutación de uso general.

3. Principales campos de aplicación

  1. Circuitos relacionados con PWM;
  2. Circuitos de conmutación de carga;
  3. Diversos circuitos de gestión de energía.

4. Sugerencias para el diseño de ingeniería

  1. Las condiciones de funcionamiento nunca deberán exceder los valores máximos absolutos, incluyendo voltaje, corriente, disipación de potencia y temperatura de unión. Se requiere un diseño térmico para un funcionamiento prolongado que mantenga la temperatura de unión por debajo de 150 °C. La temperatura de almacenamiento deberá mantenerse entre -55 °C y +150 °C.
  2. La tensión entre puerta y fuente no debe exceder los +8 V. Si se supera este valor, se dañará la capa de óxido de la puerta y se producirá un fallo en el dispositivo.
  3. El diodo de cuerpo integrado puede utilizarse para la conducción en circuito abierto en bucles inversos. Preste atención a la pérdida de potencia causada por su caída de tensión directa.
  4. Los parámetros de conmutación se miden en condiciones de pulso estrecho y ciclo de trabajo bajo. Las pérdidas de conmutación adicionales introducidas por las capacitancias del dispositivo se evaluarán para el funcionamiento continuo a alta frecuencia según la frecuencia de trabajo real.
  5. La corriente de drenaje pulsada solo es válida para condiciones de pulso corto y no puede utilizarse como corriente de funcionamiento continua.
  6. Mantenga las pistas de puerta cortas en el diseño de la PCB para reducir la inductancia parásita y suprimir la oscilación. Debido al área térmica limitada del encapsulado SOT-23, aumente el área de vertido de cobre para una mejor disipación del calor en condiciones de alta corriente.

5 Resumen del producto

El SL2301S es un MOSFET de potencia de canal P en encapsulado SOT-23 con una tensión de resistencia de 20 V y una corriente continua de 2.4 A. Ofrece un buen rendimiento de resistencia de encendido y utiliza una carcasa de montaje superficial sin plomo. Está diseñado para interruptores de carga de potencia media y baja, PWM y circuitos de gestión de energía para sistemas de alimentación de electrónica de consumo. Para garantizar un rendimiento estable a largo plazo, los diseñadores deben respetar las especificaciones máximas absolutas y optimizar el rendimiento térmico, así como el diseño de la placa de circuito impreso (PCB).

Acerca de Slkor:

SLKORLa cartera de productos de la compañía incluye dispositivos semiconductores discretos como diodos, transistores y dispositivos de potencia, así como circuitos integrados como reguladores lineales, convertidores CC-CC, chips de interfaz, sensores Hall, convertidores analógico-digitales (ADC) y sistemas de gestión de baterías (BMS).


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