Slkor SL2301S P-Kanal-Leistungs-MOSFET: 20 V Spannungsfestigkeit, 2.4 A, SOT-23 Leistungsschalter-Feldeffekttransistor

Der SL2301S ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse von Slkor. Er zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannungsfestigkeit von 20 V und einen Dauerstrom von 2.4 A bei niedrigem Durchlasswiderstand aus. Dieses bleifreie SMD-Bauteil eignet sich für Energiemanagement, Lastschaltungen, PWM-Steuerungen und weitere Schaltungsanwendungen. Dieses Dokument beschreibt seine Parameter, Eigenschaften, Anwendungen und gibt Hinweise für die praktische Anwendung.

1. Kernproduktparameter

1.1 Maximale Bewertungen (TA = 25 ℃)

1. Drain-Source-Durchbruchspannung: -20 V
2. Gate-Source-Spannung: +8 V
3. Dauerstrom: -2.4 A
4. Gepulster Drainstrom: -10 A
5. Gesamtverlustleistung des Geräts: 900 mW
6. Maximale Sperrschichttemperatur: 150 ℃
7. Lagertemperaturbereich: -55 ℃ ~ +150 ℃

1.2 Elektrische Eigenschaften (TA = 25 ℃, Impulsbreite ≤300 μs; Tastverhältnis ≤2.0 %)

1. Drain-Source-Durchbruchspannung: -20 V
2. Gate-Schwellenspannungsbereich: -0.4 V ~ -1.5 V
3. Maximaler Spannungsabfall in Durchlassrichtung der Body-Diode: -1.5 V
4. Drainstrom bei Null-Gate-Spannung: -10 μA ~ -1 μA (Test bei TA=55 ℃)
5. Maximaler Gate-Body-Leckstrom: +100 nA
6. Maximaler Durchlasswiderstand bei VGS = -4.5 V: 140 mΩ
7. Maximaler Durchlasswiderstand bei VGS = -2.5 V: 200 mΩ
8. Typische Eingangskapazität: 600 pF
9. Typische Ausgangskapazität: 120 pF
10. Typische Einschaltzeit: 8 ns
11. Typische Abschaltzeit: 60 ns

1.3 Package

Gehäusetyp: SOT-23 Oberflächenmontagegehäuse.

2. Kernmerkmale des Produkts

1. Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit;
2. bleifreie Konstruktion;
3. Das SOT-23-Oberflächenmontagegehäuse spart Platz auf der Leiterplatte und unterstützt das automatisierte Reflow-Löten;
4. Niedriger Einschaltwiderstand bei unterschiedlichen Gate-Ansteuerspannungen zur Reduzierung von Leitungsverlusten;
5. Die Schaltgeschwindigkeit erfüllt die Anforderungen an universelle Schaltkreise.

3. Hauptanwendungsgebiete

1. PWM-bezogene Schaltungen;
2. Lastschalterkreise;
3. Diverse Energiemanagementschaltungen.

4. Vorschläge für die technische Konstruktion

1. Die Betriebsbedingungen dürfen die absoluten Maximalwerte für Spannung, Stromstärke, Verlustleistung und Sperrschichttemperatur niemals überschreiten. Für den Langzeitbetrieb ist eine entsprechende Wärmeableitung erforderlich, um die Sperrschichttemperatur unter 150 °C zu halten. Die Lagertemperatur muss zwischen -55 °C und +150 °C liegen.
2. Die Gate-Source-Spannung darf +8 V nicht überschreiten. Eine Überschreitung dieses Grenzwerts beschädigt die Gate-Oxidschicht und führt zum Ausfall des Bauelements.
3. Die integrierte Body-Diode kann für den Freilauf in Rückwärtsschleifen verwendet werden. Beachten Sie den Leistungsverlust durch den Spannungsabfall in Durchlassrichtung.
4. Die Schaltparameter werden unter Bedingungen mit schmalen Impulsen und niedrigem Tastverhältnis gemessen. Zusätzliche Schaltverluste, die durch Gerätekapazitäten verursacht werden, müssen für den kontinuierlichen Hochfrequenzbetrieb entsprechend der tatsächlichen Arbeitsfrequenz bewertet werden.
5. Der gepulste Drainstrom ist nur für Kurzimpulsbedingungen gültig und kann nicht als kontinuierlicher Betriebsstrom verwendet werden.
6. Halten Sie die Leiterbahnen im PCB-Layout kurz, um parasitäre Induktivitäten zu reduzieren und Schwingungen zu unterdrücken. Aufgrund der begrenzten thermischen Fläche des SOT-23-Gehäuses sollte die Kupferfläche vergrößert werden, um eine bessere Wärmeableitung unter Hochstrombedingungen zu gewährleisten.

5. Produktübersicht

Der SL2301S ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse mit einer Spannungsfestigkeit von 20 V und einem Dauerstrom von 2.4 A. Er zeichnet sich durch einen geringen Einschaltwiderstand aus und ist in einem bleifreien SMD-Gehäuse erhältlich. Er eignet sich für Lastschalter im mittleren und niedrigen Leistungsbereich sowie für PWM- und Leistungsmanagement-Schaltungen in Unterhaltungselektronik. Um einen dauerhaft stabilen Betrieb zu gewährleisten, müssen Entwickler die maximalen Nennwerte beachten und die Wärmeableitung sowie das Leiterplattenlayout optimieren.

Über Slkor:

SLKORDas Produktportfolio von umfasst diskrete Halbleiterbauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltungen wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und Batteriemanagementsysteme (BMS).

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