Dans le contexte actuel d'intégration fonctionnelle accélérée des appareils intelligents, les équipements électroniques sont confrontés au double défi des « limitations d'espace » et des « nécessités de performance » : d'une part, la densité de la disposition des circuits imprimés a augmenté de plus de 30 %, rendant les dispositifs de protection traditionnels difficiles à adapter ; d'autre part, les débits de transmission des signaux haute fréquence ont dépassé 10 Gbit/s, imposant des exigences strictes aux dispositifs de protection ESD en matière de faible capacité et de faibles interférences. Slkor a spécifiquement lancé la diode de protection ESD à faible capacité SLESD5411N, qui, avec son boîtier DFN1006 ultra-compact et sa puissance crête de 150 W, offre une solution flexible pour la protection monoligne des équipements électroniques grand public et industriels.

Suppresseur de surtension transitoire conçu pour les systèmes sensibles aux parasites, le SLESD5411N offre un équilibre précis des performances de base : la tension de fonctionnement inverse (VRWM) atteint 7.0 V, adaptée aux circuits moyenne et basse tension ; la tension de claquage inverse minimale (VBR) est de 7.5 V, garantissant l'absence d'interférence avec la transmission du signal en fonctionnement normal ; la tension de blocage directe (VC) est de seulement 12 V sous une impulsion de 1 A et de 19 V sous une impulsion de 8 A, ce qui permet de limiter rapidement les surtensions transitoires à une plage de sécurité et de protéger les puces back-end. Sa capacité de jonction (CJ) de 15 pF et son courant de fuite inverse (IR) de 0.2 μA équilibrent parfaitement la compatibilité des signaux haute fréquence et les exigences de faible consommation d'énergie, préservant l'intégrité du signal même sur les liaisons de données à haut débit.

En termes de protection, l'appareil est conforme à la certification CEI 61000-4-2 niveau 4, avec des décharges dans l'air et par contact atteignant ±25 kV. Il peut supporter un courant d'impulsion de crête de 8 A (8/20 μs) avec une puissance d'impulsion de crête allant jusqu'à 150 W. Avec une vitesse de réponse inférieure à 1 ns, il peut supprimer instantanément les interférences électrostatiques et les surtensions. Le boîtier DFN1006 adopté (dimensions 0.55-0.65 mm × 0.95-1.05 mm) économise 40 % d'espace par rapport au boîtier MLV traditionnel (0402), prend en charge le soudage par refusion sans plomb (260 °C/10 s), est conforme aux normes RoHS et UL 94V-0 relatives aux retardateurs de flamme et convient aux configurations haute densité telles que les ordinateurs portables et les serveurs.

Les principaux avantages du produit se concentrent sur trois aspects :

● Redondance de protection ultra-forte : la protection ESD ±25 kV et la puissance d'impulsion de 150 W couvrent les scénarios d'interférences extrêmes dans l'électronique grand public et les équipements industriels ;

● Faible interférence haute fréquence : la faible capacité de jonction de 15 pF a un impact minimal sur la transmission de signaux à grande vitesse, adaptée aux interfaces haute fréquence telles que les ports série et les ports parallèles ;

● Intégration flexible : le package DFN1006 prend en charge la protection indépendante des lignes individuelles, remplaçant les dispositifs MLV traditionnels, offrant une flexibilité de conception pour les scénarios à espace restreint.

Ses domaines d'application couvrent une grande variété d'appareils électroniques : équipements informatiques tels que les ordinateurs portables, les ordinateurs de bureau et les serveurs ; appareils électroniques grand public tels que les téléviseurs à projection, les téléphones portables et leurs accessoires ; appareils portables tels que les instruments portables et les lecteurs MP3. Il est particulièrement performant pour la protection des ports d'entrée/sortie sensibles à l'espace.

Un responsable du département R&D des dispositifs de protection de Slkor a déclaré : « La conception principale du SLESD5411N repose sur une adaptation précise, permettant d'atteindre une puissance de protection de 150 W avec une capacité de 15 pF, et de rompre la contradiction entre « performances de protection et encombrement » grâce au boîtier DFN1006. Il s'agit d'une réponse ciblée à la tendance à la haute densité et à la haute fréquence dans les appareils électroniques, permettant ainsi à la protection monoligne de ne plus être limitée par les contraintes d'espace. »

Actuellement, le SLESD5411N est produit en série de manière stable, avec un conditionnement en bobines et bandes de 7 pouces (10,000 XNUMX pièces par bobine) et la possibilité d'achats en gros. Pour obtenir des manuels techniques ou des échantillons, veuillez consulter le site officiel de Slkor (SLKOR Semi-conducteurs : Semi-conducteurs discrets, TVS, ESD, diodes, composants, transistors, MOSFET, IGBT, redresseur, dispositifs de puissance discrets, SCR, TRIAC, diode Zener ; Semi-conducteurs intégrés, amplificateur opérationnel, capteur à effet Hall, régulateur linéaire / LDO, convertisseur CC-CC, convertisseur CA-CC et optocoupleur.

À propos de Slkor :

SLKOR, dont le siège social est à Shenzhen, en Chine, est une entreprise nationale de haute technologie en plein essor dans le secteur des semi-conducteurs de puissance. Avec des centres de R&D à Pékin et à Suzhou, son équipe technique principale est issue de l'Université Tsinghua. Innovateur dans la technologie des composants de puissance en carbure de silicium (SiC), SLKORLes produits de sont largement utilisés dans les véhicules à énergies nouvelles, la production d'énergie photovoltaïque, l'IoT industriel et l'électronique grand public, fournissant des solutions de semi-conducteurs critiques à plus de 10,000 2 clients dans le monde. L'entreprise livre plus de 5 milliards d'unités par an, ses MOSFET SiC et ses diodes SBD à récupération ultrarapide de XNUMXe génération établissant des références industrielles en termes de rendement et de stabilité thermique. SLKOR Détient plus de 100 brevets d'invention et propose plus de 2,000 9001 modèles de produits, élargissant continuellement son portefeuille de propriété intellectuelle aux dispositifs d'alimentation, aux capteurs et aux circuits intégrés de gestion de l'énergie. Ses certifications, notamment ISO 65, RoHS/REACH UE et CPXNUMX, témoignent de l'engagement indéfectible de l'entreprise en faveur de l'innovation technologique, de la production allégée et du développement durable.